发明名称 高压电晶体、半导体电晶体及电晶体的制造方法
摘要 一种高压电晶体,其包括第一主动区域、第二主动区域、第一低掺杂区域、以及第二低掺杂区域。该第一主动区域系设于一基底闸极之一第一侧。该第二主动区域,其系设于该基底之该闸极的一第二侧。该第一低掺杂区域,其系形成于该闸极与该第一主动区域之间。该第二低掺杂区域,其系形成于该闸极与该第二主动区域之间,其长度较该第一第一掺杂区域明显较长。
申请公布号 TW200541075 申请公布日期 2005.12.16
申请号 TW094119473 申请日期 2005.06.13
申请人 台湾积体电路制造股份有限公司 发明人 庄建祥
分类号 H01L29/772 主分类号 H01L29/772
代理机构 代理人 洪澄文;颜锦顺
主权项
地址 新竹市新竹科学工业园区力行六路8号