| 摘要 |
本发明包括具有小于10微米之晶粒尺寸及至少30ksi之降伏强度的背板。本发明包括藉由热锻、利用等径转角挤型之大量塑性变形、及利用辊轧与锻造中之至少一者的后变形处理而生产背板之方法。该等背板具有小于10微米之晶粒尺寸及至少30ksi之降伏强度。本发明包括一靶总成，该靶总成包括一以至少10ksi之黏合强度接合至一背板之靶，其中该靶具有小于约10微米之晶粒尺寸，该背板具有小于约10微米之晶粒尺寸。本发明包括藉由将一靶与一背板接合而形成一靶总成之方法，该背板具有小于约10微米之平均晶粒尺寸及至少30ksi之降伏强度。 |
