微影术修正系统、微影术修正方法及半导体装置之制造方法

摘要

本发明提供一种微影术修正系统，其在形成与具阶差之基板上图案相正交之光阻图案时，可形成接近设计尺寸的光阻图案。本发明系具备：退缩量取得部323，其于以电向量振动方向分别聚集于与基板上图案16之相垂直方向及相平行方向之照明光所曝光之情况下，取得残留于具朝特定方向延伸之阶差之基板上图案与光阻图案之正交部之光阻图案退缩量与对光阻图案线宽之复数光阻图案间隔比之关系；及偏光方向决定部324，其依据对线宽之间隔比，决定用以抑制退缩量之照明光的偏光方向。