氮化镓系化合物半导体发光元件

摘要

本发明之氮化镓系化合物半导体发光元件，其特征为其系在基板上将由氮化镓系化合物半导体所构成之n型半导体层、发光层及p型半导体层依此顺序积层所构成，且负极及正极系分别接于n型半导体层及p型半导体层所设置者，且该正极系具有由至少设置与p型半导体层相接之接触金属层，再在该接触金属层上设置导电率为大于接触金属层者之电流扩散层，并且又在该电流扩散层上设置接合垫层之三层结构所构成之透光性电极，且在该p型半导体层之正极侧表面包含含有用以形成接触金属层的金属之正极金属混杂层。