具有多层硬式罩幕之半导体装置及使用多层硬式罩幕之接触窗蚀刻制程

摘要

本发明揭示一种使用多层硬式罩幕形成接触窗之方法。首先，提供一基底，其具有一元件区及一对准区，其中对准区具有一开口图案以作为一对准标记。接着，在基底上方形成一介电层并填入开口图案。接着，在介电层上形成一多层硬式罩幕。接着，部分去除开口图案上方之多层硬式罩幕。之后，图案化元件区上方之多层硬式罩幕，以在其中形成复数孔洞而露出下方的介电层。最后，去除露出的介电层而在元件区形成复数接触窗。