防止金属层扩散之TFT电极结构与其制程STRUCTURE OF TFT ELECTRODE FOR PREVENTING METAL LAYER DIFFUSION AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR

摘要

本发明为一种防止金属层扩散之TFT电极结构与其制程，系用以防止于薄膜电晶体(TFT)之金属层制作时会扩散至邻近之绝缘层，即于制程中降低金属离子污染化学气相沉积制程(CVD)的风险，其中以一画素透明电极接续闸极金属层之后制作，可一方面作为该金属离子的阻障层(barrier)来避免金属离子高温扩散至绝缘层甚至主动层；另一方面，该画素透明电极之制作系以物理气相沈积(PVD)方法，其机台可于低温镀膜、对环境的敏感度较小，且画素透明电极本身为导电层，可避免金属离子的影响，藉以改善TFT元件制程之漏电现象(leakage)与不良导电之情形。