柱状单元快闪记忆体技术

摘要

一种柱状类型非挥发性记忆体单元(803)之阵列，其具有之每一记忆体单元系藉由一渠沟(810)而隔离于相邻记忆体单元。藉由在一基板上之堆叠处理层：隧道氧化物层(815)、多晶矽浮动闸极层(819)、ONO或氧化物层(822)、多晶矽控制闸极层(825)来形成每一记忆体单元。该处理之诸多态样系自我对准的。此等记忆体单元之一阵列需要较少分割。此外，因为电子以法线角(normalangle)或接近法线角(843)被定向至该浮动闸极(819)，所以该记忆体单元具有增强之程式化特征。