n型III族氮化物半导体层状物N-TYPE GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR LAYERED STRUCTURE

摘要

本发明之目的系提供一种凹坑之发生少且具有优越的平坦性之低电阻之n型III族氮化物半导体层状物。本发明之n型III族氮化物半导体层，其特征为由积层在基板上，具有n型杂质原子高浓度层及n型杂质原子低浓度层之n型杂质浓度周期性变化层所构成，且该低浓度层系积层在该高浓度层上。