发明名称 | 有机双稳态记忆体及其制造方法 | ||
摘要 | 一种有机双稳态记忆体,其有机层两侧形成有介电层,并于介电层两侧形成有电极,由电极施加电压时,该记忆体可在高阻抗与低阻抗两种状态之间转换及运作。藉以减低材料品质不佳或制程不稳定对于元件之影响,并改善因品质不良及制程不稳所导致元件之ON/OFF电流比率降低、留滞时间缩短及元件短路失效的问题,同时也为有机双稳态记忆体电流传输机制不够清楚的问题提供了更多的证据及理论探讨的空间。 | ||
申请公布号 | TW200541054 | 申请公布日期 | 2005.12.16 |
申请号 | TW093116692 | 申请日期 | 2004.06.10 |
申请人 | 财团法人工业技术研究院 | 发明人 | 陈维恕 |
分类号 | H01L27/10;G11C11/36 | 主分类号 | H01L27/10 |
代理机构 | 代理人 | ||
主权项 | |||
地址 | 新竹县竹东镇中兴路4段195号 |