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发明名称
过滤器、半导体基板、处理装置及半导体基板处理方法
摘要
本发明系提供一种过滤器,其系连接于藉由H3PO4溶液进行蚀刻处理半导体基板之半导体基板处理装置之循环系者,其包含:药液投入口,其系接收含有藉由蚀刻处理所析出之微粒之H3PO4溶液;H2O添加口,其系接受添加H2O;过滤膜,其系由藉由前述添加H2O使前述热分布不均匀化之前述H3PO4溶液去除前述微粒;及保护构件,其系配设于前述H2O添加口与前述过滤膜之间,从可能因前述添加H2O而产生前述H3PO4溶液之突沸保护前述过滤膜。
申请公布号
TW200539929
申请公布日期
2005.12.16
申请号
TW094105275
申请日期
2005.02.22
申请人
东芝股份有限公司
发明人
饭森弘恭;大口寿史;富田宽;小川义宏
分类号
B01D24/00;H01L21/306
主分类号
B01D24/00
代理机构
代理人
陈长文
主权项
地址
日本
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