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经营范围
发明名称
记忆体装置及制造方法
摘要
本发明系揭示一种记忆体格与一种用于制造该记忆体格的方法。该记忆体格被制造成使得它具有在位元线方向的尺寸与在字元线方向的尺寸两者之比例小于1。该等位元线系由该记忆体格之第一金属化系统形成,该金属化系统系最靠近基板之表面与记忆体格之金属矽化物区。该字元线系由在该第一金属化系统上方之金属化系统形成。因此,该等位元线被垂直配置成在该基板表面与该字元线之间。
申请公布号
TW200541020
申请公布日期
2005.12.16
申请号
TW094102429
申请日期
2005.01.27
申请人
高级微装置公司
发明人
麦克吉;吉艾塞卡 布鲁斯 艾伦;米利克-史崔卡基 欧真
分类号
H01L21/8244;H01L27/11
主分类号
H01L21/8244
代理机构
代理人
洪武雄;陈昭诚
主权项
地址
美国
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