| 摘要 |
化合物半导体装置为在焊垫电极下方设置闸极金属层，但是在埋入式闸极电极构造的情况下，焊垫电极下层的闸极金属层会硬质化，而在进行引线接合时经常发生接合不良的情形。本发明在HEMT中并不设置闸极金属层，而仅以焊垫金属层形成焊垫电极。焊垫电极的下方系设置高浓度杂质领域，且将焊垫电极直接固接于基板。藉由高浓度杂质领域可确保预定的隔离，因此在与以往同样之不使用氮化膜的构造，亦可回避因闸极金属层硬质化而导致之引线接合时之不良情形。因此，即使是使HEMT之特性提升的埋入式闸极电极构造，亦可实现可靠性之提升、以及良率之提升。 |
