发明名称 记忆元件及记忆装置
摘要 本发明提供一种可容易且稳定地进行资讯之记录及读取,可以较简单之制造方法容易制造之记忆元件。该记忆元件10系在第一电极2与第二电极6之间夹着记忆用薄膜4而构成,记忆用薄膜4中至少含有稀土类元素,在记忆用薄膜内或与记忆用薄膜4相接之层3中含有自铜、银及锌选出之任何一种元素,记忆用薄膜内或与记忆用薄膜4相接之层3中含有自鍗、硫及硒选出之任何一种元素。
申请公布号 TW200541055 申请公布日期 2005.12.16
申请号 TW093136629 申请日期 2004.11.26
申请人 新力股份有限公司 发明人 荒谷胜久;前明弘;河内山彰;马朋人
分类号 H01L27/10;H01L45/00 主分类号 H01L27/10
代理机构 代理人 陈长文
主权项
地址 日本
您可能感兴趣的专利