制造半导体装置之方法及检查半导体之装置

摘要

依据本发明，在一种制造半导体之方法及检查半导体之装置中，如图2的流程图所示，在雷射处理步骤13，雷射处理是以不同的雷射功率，在监视基材–从已承受SPC步骤12的基材撷取者–的不同位置执行，以形成多晶矽薄膜于基材的全部区域上。其后，在最佳功率检查／撷取步骤14，多晶矽薄膜–形成在监视基材上，具有改变的薄膜品质–在检查装备上检查，以决定最佳雷射功率。然后，在雷射处理步骤13，已承受SPC步骤12的后续基材的表面由雷射以最佳雷射功率照射。于是，高品质多晶矽薄膜形成在基材的全部区域上。