发明名称 Programmierverfahren für ein nichtflüchtiges Speicherbauelement
摘要 Die Erfindung bezieht sich auf ein Programmierverfahren für ein nichtflüchtiges Speicherbauelement, wobei eine Kettenauswahlleitung (SSL) auf eine vorbestimmte Spannung, eine ausgewählte Wortleitung auf eine Programmierspannung (Vpgm) und eine nicht ausgewählte Wortleitung auf eine Durchlassspannung (Vpass) gesetzt werden. DOLLAR A Erfindungsgemäß wird die Programmierspannung und/oder die Durchlassspannung abhängig von der Position der ausgewählten bzw. nicht ausgewählten Wortleitung variabel gewählt, insbesondere abhängig davon, ob die betreffende Wortleitung einer Kettenauswahlleitung benachbart ist oder nicht. DOLLAR A Verwendung z. B. für NAND-Flashspeicher.
申请公布号 DE102005022611(A1) 申请公布日期 2005.12.15
申请号 DE200510022611 申请日期 2005.05.10
申请人 SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD. 发明人 KWON, OH-SUK;LEE, JUNE
分类号 G11C16/12;G11C11/34;G11C16/04;G11C16/10;G11C16/34;(IPC1-7):G11C16/12 主分类号 G11C16/12
代理机构 代理人
主权项
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