发明名称 |
具有低接触电阻的半导体设备及其制造方法 |
摘要 |
本发明关于一种具有低接触电阻的半导体设备及其制造方法。所述半导体设备包括:一衬底结构,其具有一接触孔以暴露其预定的部分;及一形成于该接触孔上的接触塞,其中所述接触塞具有填充于接触孔一部分中的外延硅层,及填充于接触孔其余部分中并形成于外延硅层上的金属层。用以制造该半导体设备的方法包括以下步骤:暴露一衬底结构的一部分,由此形成一接触孔;及在接触孔上顺序地形成一外延硅层及一金属层,从而获得接触塞。 |
申请公布号 |
CN1707756A |
申请公布日期 |
2005.12.14 |
申请号 |
CN200510002339.6 |
申请日期 |
2005.01.17 |
申请人 |
海力士半导体有限公司 |
发明人 |
安台恒 |
分类号 |
H01L21/28;H01L21/3205;H01L21/768;H01L21/20;H01L21/31 |
主分类号 |
H01L21/28 |
代理机构 |
北京集佳知识产权代理有限公司 |
代理人 |
王学强 |
主权项 |
1.一种半导体设备,包括:一衬底结构,其具有一接触孔以暴露其一预定的部分;及一在该接触孔上形成的接触塞,其中该接触塞具有填充于该接触孔一部分中的一外延硅层,及通过填充所述金属孔的剩余部分形成于该外延硅层上的一金属层。 |
地址 |
韩国京畿道 |