去除高密度等离子体介电层缺陷的方法

摘要

一种去除高密度等离子体介电层缺陷的方法，在形成高密度等离子体介电层之前，先在半导体基底上形成一层高温氧化硅(HTO)层以作为缓冲层，利用高温氧化硅层可去除氮化硅顶盖层与高密度等离子体介电层之间的缺陷，缓和两者之间的应力，并且可降低位线的泄漏电流。

主权项

1.一种半导体存储元件的制造方法，该方法至少包括下列步骤：在一半导体基底上形成至少一条栅极堆栈层，该栅极堆栈层的最上层均具有一氮化硅层；在该栅极堆栈层的两侧的该半导体基底中形成埋入位线；在该半导体基底上共形地形成一高温氧化硅层，覆盖该栅极堆栈层及该些埋入位线；以及在该高温氧化硅层上形成一高密度等离子体介电层。