| 发明名称 | 半导体器件 | ||
| 摘要 | 一种I/O缓冲器区段具有状态设置电路。状态设置电路根据存储在设置寄存器中的控制信号的组合将任意设置I/O终端的信号状态。这样，即使在I/O终端最初设置为信号保持状态的情形中I/O缓冲器区段也能被状态设置电路暂时设置为Hi－Z状态。因此，可进行漏电测试来测试I/O缓冲器区段是好还是不好，可提高半导体器件的可靠性。 | ||
| 申请公布号 | CN1707953A | 申请公布日期 | 2005.12.14 |
| 申请号 | CN200510075585.4 | 申请日期 | 2005.06.06 |
| 申请人 | 株式会社瑞萨科技 | 发明人 | 川上史树;矢田直树 |
| 分类号 | H03K19/0175;G06F13/00;G06F3/00;H01L23/00 | 主分类号 | H03K19/0175 |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 秦晨 |
| 主权项 | 1.一种半导体器件，包括：各个I/O缓冲器，执行经由I/O终端输入/输出的信号的输入/输出控制，其中每个I/O缓冲器包括状态设置区段，至少将I/O终端任意设置为或者高阻抗或者信号保持。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||