用于制造微机电器件的方法和由该方法获得的微机电器件

摘要

本发明涉及一种制造微机电器件(10)的方法，在该方法中，在衬底(1)上依序地沉积其中形成第一电极(2A)的第一导电层(2)、由第一材料构成的第一电绝缘层(3)、由不同于第一材料的第二材料构成的第二电绝缘层(4)、以及其中形成与第一电极相对的第二电极(5A)的第二导电层(5)，第二电极(5A)与第一电极(2A)以及第一绝缘层(3)一起形成器件(10)，其中在沉积第二导电层(5)之后，借助于相对于第二导电层(5)的材料具有选择性的蚀刻剂除去第二绝缘层(4)。根据本发明，对于第一材料和第二材料，选择相对于彼此仅有有限的选择蚀刻性的材料；且在沉积第二绝缘层(4)之前，在第一绝缘层(3)的顶部上提供由另一材料构成的另一层(6)，该另一材料相对于第一材料可被选择蚀刻。这样，将氧化硅和氮化硅用于绝缘层(3、4)，且因此根据本发明的方法与当前的IC工艺非常兼容。优选地，通过蚀刻局部地除去第二绝缘层(4)，然后通过蚀刻完全除去另一层(6)，且最后通过蚀刻完全除去第二绝缘层(4)。

主权项

1、一种制造微机电器件(10)的方法，其中在衬底(1)上连续沉积其中形成第一电极(2A)的第一导电层(2)、由第一材料构成的第一电绝缘层(3)、由不同于第一材料的第二材料构成的第二电绝缘层(4)、以及其中形成位于与第一电极相对的第二电极(5A)的第二导电层(5)，其与第一电极(2A)和第一绝缘层(3)一起形成器件(10)，其中在沉积第二导电层(5)之后，借助于相对于第二导电层(5)的材料具有选择性的蚀刻剂来除去第二绝缘层(4)，其特征在于：对于第一材料和第二材料，选择相对于彼此仅能被有限地选择性蚀刻的材料，而对于在第一绝缘层(3)的顶部上沉积第二绝缘层(4)，沉积相对于第一材料可以被选择性蚀刻的另一材料的另一层(6)。