| 发明名称 | 半导体装置的制造方法 | ||
| 摘要 | 一种半导体装置的制造方法，包括：在形成了元件(12)的半导体部分(10)上形成具有用于接触部(54)的接触孔(27)的绝缘层(20)的工序；使电极焊盘(30)按照在与接触部重叠的位置遗留凹陷部(36)或突起部(96)的形式形成于绝缘层上的工序；按照在电极焊盘的第一部分(32)上具有开口部(62)并且覆盖在第二部分(34)上的形式形成钝化膜(60)的工序；在电极焊盘上形成阻挡层(64)的工序；和按照大于钝化膜的开口部且使一部分覆盖在钝化膜上的形式形成凸块(70)的工序。并且，使接触部在与凸块重叠的范围内避开电极焊盘的第一部分，而与第二部分连接。这样在不进行平坦化工序的情况下，提高电连接可靠性。 | ||
| 申请公布号 | CN1707769A | 申请公布日期 | 2005.12.14 |
| 申请号 | CN200510074292.4 | 申请日期 | 2005.06.02 |
| 申请人 | 精工爱普生株式会社 | 发明人 | 汤泽健;汤泽秀树;高野道义 |
| 分类号 | H01L21/70;H01L21/60;H01L21/44;H01L21/3205 | 主分类号 | H01L21/70 |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 李香兰 |
| 主权项 | 1、一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括：(a)在形成了元件的半导体部分上形成具有用于接触部的接触孔的绝缘层的工序；(b)使电极焊盘按照在与所述接触部重叠的位置遗留凹陷部或突起部的形式形成于所述绝缘层上的工序；(c)按照在所述电极焊盘的第一部分上具有开口部，并且覆盖在第二部分上的形式形成钝化膜的工序；(d)在所述电极焊盘上形成阻挡层的工序；和(e)按照大于所述钝化膜的所述开口部，且使一部分覆盖在所述钝化膜上的形式形成凸块的工序了；使所述接触部在与所述凸块重叠的范围内避开所述电极焊盘的所述第一部分，而与所述第二部分连接。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||