在基体材料上经中间层形成薄膜的方法

摘要

本发明涉及在基体材料上经中间层形成优质的薄膜的技术。这样的成膜技术可较好地应用于，例如在超导线材和超导器件等中能利用的氧化物高温超导体薄膜的形成。其特征在于，在基体材料上经中间层形成薄膜的方法中，计算出该基体材料与中间层间的界面A的界面能量Ea和中间层与薄膜间的界面B的界面能量Eb，计算出在中间层不存在的状态下的基体材料与薄膜间的界面C的界面能量Ec，然后，选择满足Ea＜Ec且Eb＜Ec的条件的中间层材料。

主权项

1.一种薄膜形成方法，该方法是在基体材料上经中间层形成薄膜的方法，其特征在于：计算出上述基体材料与上述中间层间的界面A的界面能量Ea和上述中间层与上述薄膜间的界面B的界面能量Eb，计算出在上述中间层不存在的状态下的上述基体材料与上述薄膜间的界面C的界面能量Ec，然后选择满足Ea＜Ec且Eb＜Ec的条件的中间层材料。