| 发明名称 | 沟槽与孔洞的构造及其填充方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种沟槽与孔洞的构造及其填充方法，包括以下步骤。首先，提供一半导体衬底，表面形成有一空沟槽或空孔洞孔，于空沟槽表面上，形成一第一材料；于形成有第一材料的空沟槽表面上，形成一第二材料；施行热处理，将形成于空沟槽表面上的第一材料与第二材料熔化、聚集于空沟槽的底部，成为一晶种；以及将一前驱体气体通入聚集于空沟槽的底部的晶种的表面上，以形成一第三材料填充空沟槽。 | ||
| 申请公布号 | CN1231951C | 申请公布日期 | 2005.12.14 |
| 申请号 | CN02145835.9 | 申请日期 | 2002.10.15 |
| 申请人 | 茂德科技股份有限公司 | 发明人 | 李兴中;罗建兴 |
| 分类号 | H01L21/30 | 主分类号 | H01L21/30 |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 李晓舒;魏晓刚 |
| 主权项 | 1.一种填充沟槽的方法，适用于一形成有空沟槽的半导体衬底，包括下列步骤：(a)于该空沟槽表面上，形成一第一材料；(b)于形成有该第一材料的该空沟槽表面上，形成一第二材料；(c)施行热处理，将形成于该空沟槽表面上的该第一材料与该第二材料熔化、聚集于该空沟槽的底部，成为一晶种；以及(d)将一前驱体气体通入聚集于该空沟槽的底部的该晶种的表面上，以形成一第三材料填充该空沟槽。 | ||
| 地址 | 台湾省新竹科学工业园 | ||