以金属闸半导体制作过程实现的无线射频识别装置

摘要

本发明揭露一种以金属闸半导体制作过程实现的无线射频识别装置，其利用金属闸制作过程中特有寄生的N型与P型防护圈所形成的充电电容，配合原本P型与N型金氧半晶体管(PMOS/NMOS)，除可提供水平表面电流外，更可提供一整流电流用以提供整个电路操作，并再配合识别码保持电路及异步本地震荡电路的作用，使金属闸制作过程可进阶应用在射频识别装置的产业上，并达到制作成本低廉及制造时程短的功效。

主权项

1、一种以金属闸半导体制作过程实现的无线射频识别装置，其特征在于，包括：一谐振电路，稳定频率并选择无线射频的频率；一充电电容，其由金属闸制作过程中的N型与P型掺杂防护圈所形成的寄生接面电容所组成，该充电电容外接一电源，以便对该充电电容进行充电；一整流电路，连接该谐振电路且并联该充电电容，以配合该谐振电路与该充电电容提供整个装置所需的操作电源；一个以上的识别码保持电路，分别连接一打线焊垫，且每一该打线焊垫内系储存有一识别码，该识别码保持电路系利用初始状态来控制该打线焊垫；一异步本地震荡电路，其可产生一本地振荡信号；一数字控制逻辑电路，利用该本地震荡信号，并根据该打线焊垫内的识别码来控制一调变器，以藉此产生一射频识别讯号。