发明名称 具备空穴电子双通道结构的有机膦化合物及其氧化物和制备方法
摘要 本发明属于有机电子功能材料技术领域,具体为一类同时具备空穴注入传输和电子注入传输能力的有机膦化合物及其氧化物和合成方法。本发明以具有空穴传输基团的化合物为原料,通过金属催化、锂化、膦化和氧化等有机化学反应,合成了一系列同时具有空穴注入传输和电子注入传输能力的有机膦化合物、有机膦氧化合物。该类化合物在结构上具有独特的空穴电子双通道结构,将其作为有机金属配合物的配体材料将能够大大改善该类配合物的载流子注入和传输性能。该类化合物及其有机金属配合物在电致发光、有机激光和太阳能电池等有机电子学领域具有广阔的应用前景。
申请公布号 CN1706852A 申请公布日期 2005.12.14
申请号 CN200510026268.3 申请日期 2005.05.27
申请人 复旦大学 发明人 黄维;许辉
分类号 C07F9/28;C07F9/572 主分类号 C07F9/28
代理机构 上海正旦专利代理有限公司 代理人 陆飞;盛志范
主权项 1、一类具有空穴注入传输和电子注入传输基团的有机膦化合物及其氧化物,其基本结构式分别如下:<img file="A2005100262680002C1.GIF" wi="909" he="389" />其中,Ar<sub>1</sub>为具有空穴传输能力的芳烃、含有杂原子的芳烃及其含有烷基、烷氧基、芳基、芳香膦、芳香膦氧基团的衍生物;Ar<sub>2</sub>为具有电子传输能力的芳烃、含有杂原子的芳烃及其含有烷基、烷氧基、芳基、芳香膦、芳香膦氧基团的衍生物;Ar<sub>3</sub>为与Ar<sub>1</sub>或Ar<sub>2</sub>相同的基团,或者与具体的Ar<sub>1</sub>、Ar<sub>2</sub>基团不同,但是包含在Ar<sub>1</sub>、Ar<sub>2</sub>基团定义范围内的基团。
地址 200433上海市邯郸路220号