可进行稳定的数据读出和数据写入的薄膜磁性体存储器

摘要

本发明提供一种可进行稳定的数据读出和数据写入的薄膜磁性体存储器。在确保数据读出时的信号容限的同时，可减小数据写入时所必要的数据写入电流，抑制消耗电流和磁噪声。构成磁性体存储单元的隧道磁阻元件(TMR)具有：具有一定方向的固定磁场的固定磁层(102)；由施加磁场进行磁化的自由磁层(103)；以及在隧道结区(115)中作为设置在固定磁层(102)与自由磁层(103)之间的绝缘体膜的隧道阻挡层。

主权项

1.一种在半导体衬底上形成的薄膜磁性体存储器，其特征在于，具备进行数据存储用的多个存储单元(MC)，各上述存储单元包含：存取元件(ATR，DM)，用来在导通时形成数据读出电流(Is)的路径；以及磁存储部(TMR)，与上述存取元件串联地连接，其电阻随存储数据变化；上述磁存储部还包括：第1磁性体层(102)，在上述半导体衬底上被形成，具有被固定了的磁化方向；第2磁性体层(103)，在上述半导体衬底上被形成，相应来自外部的施加磁场可改写磁化方向；以及绝缘膜(104)，形成在上述第1和第2磁性体层之间，接点电极(105)，接受上述数据读出电流供给；上述接点电极与第2磁性体层的平面方向一部分的规定区域上对应地被形成。