发明名称 |
压敏非线性电阻器陶瓷,制造方法和压敏非线性电阻器 |
摘要 |
一种复合钙钛矿基半导体压敏电阻陶瓷和压敏电阻器包含由Sr、Ba、Ca及Ti组成的第一成分;第二成分和第三成分至少之一,第二成分由至少一类从R(Y和镧系元素)的氧化物选择的氧化物组成,第三成分由至少一类从M(Nb和Ta)的氧化物选择的氧化物组成;以及由Si的氧化物组成的第四成分。该陶瓷基本不含Mg。该陶瓷的组成为0.10≤a/(a+b+c)≤0.40,0.30≤b/(a+b+c)≤0.50,0.20≤c/(a+b+c)≤0.50,0.84≤(a+b+c+e)/(d+f)≤1.16,1.0≤(e+f)/d×100≤10.0,以及g/d×100≤0.6。一种复合钙钛矿基半导体压敏电阻陶瓷和压敏电阻器可以由Sr、Ba、Ca及Ti的至少一种组成,并具有形成压缩应力的表面。 |
申请公布号 |
CN1706773A |
申请公布日期 |
2005.12.14 |
申请号 |
CN200510079161.5 |
申请日期 |
2001.11.15 |
申请人 |
TDK株式会社 |
发明人 |
人见笃志;松岡大;千田直树;小笠原稔;竹岛勉;直井克夫 |
分类号 |
C04B35/45;C04B35/468;C04B35/47 |
主分类号 |
C04B35/45 |
代理机构 |
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 |
代理人 |
付建军 |
主权项 |
1.一种压敏非线性电阻陶瓷,包含由Sr,Ba和Ca中至少一种和Ti组成的氧化物,所述陶瓷包含形成有压缩应力的表面。 |
地址 |
日本东京都 |