栅极接触窗的形成方法

摘要

本发明涉及一种栅极接触窗的形成方法，首先，提供一半导体基底，半导体基底上形成有一多晶硅栅极，多晶硅栅极上形成有一金属硅化物层，且金属硅化物层及半导体基底表面上顺应性形成有一停止层；接着，依序在半导体基底上形成一介电层及一具有开口的图案化罩幕层，开口位于介电层表面上与多晶硅栅极对应处，并以图案化罩幕层为罩幕对介电层进行一蚀刻步骤至露出停止层的表面为止，以在介电层形成一接触窗；然后，以具有含氢气体的反应气体对停止层进行一干蚀刻步骤，且于干蚀刻步骤中自然在金属硅化物层表面形成保护层，干蚀刻步骤停止于该保护层。

主权项

1、一种栅极接触窗的形成方法，包括下列步骤：提供一半导体基底，该半导体基底上形成有一多晶硅栅极，该多晶硅栅极上形成有一金属硅化物层，且该金属硅化物层及该半导体基底表面上形成有一停止层；依序在该半导体基底上形成一介电层及一具有开口的图案化罩幕层，该开口位于该介电层表面上与该多晶硅栅极对应处；以该图案化罩幕层为罩幕对该介电层进行一蚀刻步骤至露出该停止层的表面为止，以在该介电层形成一接触窗；及并以具有含氢气体的反应气体对该停止层进行一干蚀刻步骤，且该干蚀刻步骤停止于一在该干蚀刻步骤中自然在该金属硅化物层表面形成的保护层。