发明名称 具有电源启动顺序的半导体集成电路器件
摘要 本发明公开了一种半导体集成电路器件,该半导体集成电路器件将第一区域和第二区域分别驱动到正的内部电源和负的内部电源,所述第一区域和第二区域是经由电容而设置的,所述半导体集成电路器件包括将第一区域驱动到正的内部电源的第一内部电源产生电路。另外,所述半导体集成电路器件具有电源序列发生器,所述电源序列发生器通过在电源启动时启动第一内部电源产生电路,同时将第二区域箝位在预定电势上,而将第一区域驱动到高于正的内部电源的电势的过驱动电势,并且然后通过取消第二区域的箝位状态,而将第一区域从过驱动电势降压到正的内部电源的电势,以便通过电容的耦合,而将第二区域降压到负电势。
申请公布号 CN1707691A 申请公布日期 2005.12.14
申请号 CN200510008813.6 申请日期 2005.02.23
申请人 富士通株式会社 发明人 竹内淳
分类号 G11C11/404 主分类号 G11C11/404
代理机构 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 代理人 赵淑萍
主权项 1.一种半导体集成电路器件,该半导体集成电路器件将第一区域和第二区域分别驱动到正的内部电源和负的内部电源,所述第一区域和第二区域是经由电容而设置的,所述半导体集成电路器件包括:第一内部电源产生电路,所述第一内部电源产生电路将所述第一区域驱动到所述正的内部电源;以及电源序列发生器,所述电源序列发生器通过在电源启动时启动所述第一内部电源产生电路,同时将所述第二区域箝位在预定电势上,而将所述第一区域驱动到高于所述正的内部电源的电势的过驱动电势,并且然后通过取消所述第二区域的箝位状态,而将所述第一区域从所述过驱动电势向着所述正的内部电源的电势降压,以便通过所述电容的耦合,而将所述第二区域降压到负电势。
地址 日本神奈川县