磁电阻随机存取存储器

摘要

一种磁电阻隧道结存储单元，其包含磁电阻隧道势垒(16)、位磁区(15)、参考磁区(17)，以及在位和参考磁区感应施加磁场的电流线路(20，30)。位磁区具有位磁矩(43，40，1425，1625，1950，2315)，其在没有施加磁场时，在位易磁化轴方向(59，1435)上具有极性。隧道势垒和位及参考磁区形成磁电阻隧道结器件(10，72，73，74，75，76)。在一些实施方案中(73，74，75)，参考磁区具有与位易磁化轴不平行的参考磁矩(40，1430，1440，1920，1925)。在其它实施方案(76)中，参考磁区具有净参考磁矩基本上为零的磁化涡流(2310)。施加磁场会改变参考磁区的磁状态，以至于可以通过磁电阻测量来确定位磁区的磁状态。

主权项

1、一种磁电阻隧道结存储单元，其包含：设计成形成磁电阻隧道势垒的电绝缘材料；位于电绝缘材料一面上的位磁区，位磁区在不施加磁场时具有极性在位易磁化轴上的位磁矩；位于电绝缘材料相反面上的参考磁区，其中电绝缘材料以及位和参考磁区形成磁电阻隧道结器件；以及在位和参考磁区内感应施加磁场的装置；其中参考磁区具有低的长径比，并且，在施加磁场的数值为零时，在该数值下磁电阻隧道结器件具有参考磁电阻，具有基本上与位易磁化轴正交的参考磁矩，并且其中当施加磁场具有位于非转换磁场区内的读出值时，位磁矩的极性由参考磁矩的旋转导致的磁电阻隧道结器件的磁电阻变化的信号来可靠地指示，并且位磁矩的极性没有转换。