发明名称 | 高导热率垂直腔面发射激光器 | ||
摘要 | 例如VCSEL的光生成设备包括光生成层、顶部反射器、底部反射器和在光生成层与底部反射器之间的高导热率(HTC)层。该光生成设备用来产生第一波长的光。由于HTC层的存在,在光生成层处所产生的热被更高效地消散。或者,例如VCSEL的光生成设备包括光生成层、顶部反射器和高导热率(HTC)底部反射器。由于底部反射器是比传统DBR反射器具有更低热阻系数的HTC DBR反射器,在光生成层处所产生的热被更高效地消散。 | ||
申请公布号 | CN1707889A | 申请公布日期 | 2005.12.14 |
申请号 | CN200510075216.5 | 申请日期 | 2005.06.07 |
申请人 | 安捷伦科技有限公司 | 发明人 | 宋永科;迈克尔·H·利里;迈克尔·R·T·谭 |
分类号 | H01S5/183;H01S5/024 | 主分类号 | H01S5/183 |
代理机构 | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 柳春雷 |
主权项 | 1.一种光生成设备,包括:光生成层,其适于生成具有已知波长的光;顶部反射器,其位于所述光生成层之上;底部反射器,其位于所述光生成层之下;和在所述光生成层与所述底部反射器之间的高导热率层和在所述光生成层与所述顶部反射器之间的高导热率层中的至少一个。 | ||
地址 | 美国加利福尼亚州 |