发明名称 | 蚀刻方法 | ||
摘要 | 本发明提供一种蚀刻方法,其在保持通用型蚀刻优点的同时,能够避免由记忆效应造成的蚀刻特性的变动。其特征在于,进行第1蚀刻处理后,在腔室2的内壁面成为附着堆积物70的状态,以除去该堆积物70为目的进行清洗后,再进行第2蚀刻处理;清洗在晶片W上不施加偏压电源的零偏压条件下,用O<SUB>2</SUB>气体与N<SUB>2</SUB>气体的混合气体作为清洗气体,在腔室内的压力为50~200mTorr、O<SUB>2</SUB>流量5~15mL/min、以及N<SUB>2</SUB>流量100~400mL/min的条件下进行。 | ||
申请公布号 | CN1707761A | 申请公布日期 | 2005.12.14 |
申请号 | CN200510075222.0 | 申请日期 | 2005.06.07 |
申请人 | 东京毅力科创株式会社 | 发明人 | 五十岚义树;内藤和香子 |
分类号 | H01L21/3065;H01L21/311 | 主分类号 | H01L21/3065 |
代理机构 | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人 | 龙淳 |
主权项 | 1.一种蚀刻方法,是对被处理基板上的由多个层形成的层叠膜,在同一处理容器中,无需搬出所述被处理基板而依次进行蚀刻处理的蚀刻方法,其特征在于:在各蚀刻处理之间,由清洗气体的等离子体进行除去处理容器内的堆积物的清洗处理。 | ||
地址 | 日本东京都 |