发明名称 | 具有高反差标志的金属层的半导体器件及制造方法 | ||
摘要 | 一种功率半导体器件,它包括一个具有电活性第一和第二表面的半导体单元片。一个标志位于第二表面上,配置该标志以利于该器件的辨认,而在半导体单元片的第二表面以及标志上形成一金属层,配置该金属层以传导该器件的电流并使该标志清晰可见,以供辨认。 | ||
申请公布号 | CN1707790A | 申请公布日期 | 2005.12.14 |
申请号 | CN200510072987.9 | 申请日期 | 2005.05.25 |
申请人 | 半导体元件工业有限责任公司 | 发明人 | 肯特·凯姆;杰弗里·皮尔斯 |
分类号 | H01L23/544;H01L21/00 | 主分类号 | H01L23/544 |
代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 秦晨 |
主权项 | 1.一种功率半导体器件,包括:半导体单元片,它有一个第一表面和一个第二表面,其中该第一和第二表面是电活性的;位于第二表面上的标志,配置该标志以利于该器件的辨认;以及在该半导体单元片的第二表面上以及标志上形成的一金属层,配置该金属层以传导该器件的电流并使得该标志可见,以供辨认。 | ||
地址 | 美国亚利桑那 |