形成倒装式半导体封装的方法

摘要

一种形成倒装式半导体封装的方法，其主要步骤是：提供氧化(220)的铜引线框和具有从芯片焊盘延伸的铜柱并且在铜柱的自由端上具有焊料球的半导体芯片，焊料球用焊剂涂覆(225)。将半导体芯片放在(230)氧化的铜引线框上，焊料球临近氧化物层上的部分，并且与引线框上的互连位置对准。当再流(235)时，与氧化物层的部分临近的焊剂从互连位置选择性地清除了氧化物层的部分。此外，焊料球变为熔融态并粘结到互连位置的清除了氧化物层的表面上。没有被清除的氧化物层的剩余部分有利地提供了钝化层，此钝化层有利地包容熔融焊料，并防止熔融焊料从互连位置流走。

主权项

1.一种形成倒装式半导体封装的方法，此方法包括步骤：a)提供具有第一表面的布图的金属导体层，其中第一表面上具有互连位置图形；b)在布图的金属导体层的第一表面上形成钝化层：c)提供具有第一表面的半导体芯片，第一表面上具有焊盘图形，其中可再流动的导电淀积物淀积在焊盘上；d)在可再流动的导电淀积物上淀积钝化清除剂；e)将半导体芯片放到布图的金属导体层上，以形成组件，其中可再流动的导电淀积物临近部分钝化层，其中可再流动的导电淀积物与互连位置的图形相邻，并且其中钝化清除剂粘结到可再流动的导电淀积物上和部分钝化层上；和f)再流组件，其中钝化清除剂基本上从布图的金属导体层上除去了钝化层的部分，并且其中可再流动的导电淀积物在半导体芯片上的焊盘和布图的金属导体层上的互连位置之间形成了导电互连。