| 发明名称 | 使用氮化铝膜制造半导体器件的栅极的方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种使用氮化铝膜制造半导体器件栅极的方法，该方法包括：清洁半导体衬底的表面；氮化该衬底的表面；在半导体衬底的表面上形成包括氮化铝膜的栅极介电膜；在该栅极介电膜上淀积一栅极导电层与一硬掩模层；以及蚀刻该硬掩模层、栅极导电层与栅极介电膜以形成栅极。 | ||
| 申请公布号 | CN1707755A | 申请公布日期 | 2005.12.14 |
| 申请号 | CN200410081784.1 | 申请日期 | 2004.12.31 |
| 申请人 | 海力士半导体有限公司 | 发明人 | 李泰赫;张准洙;朴东洙 |
| 分类号 | H01L21/28 | 主分类号 | H01L21/28 |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 陶凤波;侯宇 |
| 主权项 | 1.一种使用氮化铝膜制造半导体器件的栅极的方法，该方法包括以下步骤：(a)清洁一半导体衬底的表面；(b)在一半导体衬底的表面上形成包括氮化铝膜的栅极介电膜；(c)在所述栅极介电膜上淀积一栅极导电层与一硬掩模层；及(d)蚀刻所述硬掩模层、栅极导电层与栅极介电膜，以形成栅极。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||