| 发明名称 | 薄膜晶体管(TFT)以及具有TFT的平板显示板 | ||
| 摘要 | 一种薄膜晶体管(TFT)，其包括：栅极；均与栅极绝缘的源极和漏极；及适于与源极和漏极均接触的有机半导体层，该有机半导体层与栅极绝缘；其中该有机半导体层包括其粒径比有机半导体层其他部分粒径小的边界区，该边界区包围有机半导体层的至少一个沟道区以及源和漏区。 | ||
| 申请公布号 | CN1707812A | 申请公布日期 | 2005.12.14 |
| 申请号 | CN200510081791.6 | 申请日期 | 2005.06.08 |
| 申请人 | 三星SDI株式会社 | 发明人 | 杨南喆;金慧东;徐旼彻;具在本;李尚旻 |
| 分类号 | H01L29/786;H01L51/20;G02F1/136;G09G3/38 | 主分类号 | H01L29/786 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 范赤;赵苏林 |
| 主权项 | 1.一种薄膜晶体管(TFT)，包括：栅极；均与栅极绝缘的源极和漏极；及适于与源极和漏极均接触的有机半导体层，该有机半导体层与栅极绝缘；其中有机半导体层包括其粒径比有机半导体层其他部分粒径小的边界区，该边界区包围有机半导体层的至少一个沟道区以及源和漏区。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道水原市 | ||