| 主权项 |
1.一种半导体闸极结构,包含:一基板;一闸介电层,设置于该基板上;一第一导电层,设置于该闸介电层上;以及一第二导电层,包含:一下部,设置于该第一导电层上;以及一上部,设置于该下部之上,其中该上部之一侧边对齐该下部之一侧边,且另一侧边具有至少一凹处。2.根据请求项1之半导体闸极结构,其中该下部之宽度等于该第一导电层之宽度。3.根据请求项1之半导体闸极结构,其中该上部具有复数个彼此不相连之凹处。4.根据请求项3之半导体闸极结构,其中该复数个凹处之间隔距离相同。5.根据请求项3之半导体闸极结构,其中该凹处之旁侧系一位元线接触金属。6.根据请求项1之半导体闸极结构,其中该第一导电层及该第二导电层系呈条状,且该第二导电层之上部具有复数个凹处。7.根据请求项1之半导体闸极结构,更包含一设置于该第二导电层上之绝缘层,且该凹处填满构成该绝缘层之绝缘材料。8.根据请求项1之半导体闸极结构,更包含一设置于该第一导电层及该第二导电层之侧边的侧壁,且该凹处填满构成该侧壁之绝缘材料。9.根据请求项1之半导体闸极结构,其中该第一导电层系多晶矽材质。10.根据请求项1之半导体闸极结构,其中该第二导电层系矽化钨材质。11.一种半导体闸极结构之制备方法,包含下列步骤:形成一闸介电层于一基板上;形成一第一导电层于该闸介电层上;形成一第二导电层于该第一导电层上,其中该第二导电层包含一设置于该第一导电层上之下部以及一设置于该下部之上的上部;形成一光阻层于该第二导电层上;进行一微影制程以形成至少一开口于该光阻层之中;以及进行一蚀刻制程以形成至少一凹处于该开口下方之该第二导电层的该上部。12.根据请求项11之半导体闸极结构之制备方法,其中该蚀刻制程系一湿蚀刻制程,且使用之一蚀刻液包含氨水、过氧化氢及水。13.根据请求项12之半导体闸极结构之制备方法,其中该蚀刻制程之反应温度系界于60至70℃之间。14.根据请求项11之半导体闸极结构之制备方法,其中该蚀刻制程系一乾蚀刻制程,且使用之蚀刻气体为四氟化碳或六氟化硫。15.根据请求项11之半导体闸极结构之制备方法,其中该微影制程包含使用一位元线接触窗光罩。16.一种半导体闸极结构之制备方法,包含下列步骤:形成一闸介电层于一基板上;形成一第一导电层于该闸介电层上;形成一第二导电层于该第一导电层上,其中该第二导电层包含一设置于该第一导电层上之下部以及一设置于该下部之上的上部;形成一具有复数个条状开口之绝缘层于该第二导电层上;形成一光阻层于该绝缘层上;进行一微影制程以形成至少一开口于该光阻层之中;以及进行一第一蚀刻制程以形成至少一凹处于该光阻层之开口下方之该第二导电层的该上部。17.根据请求项16之半导体闸极结构之制备方法,更包含下列步骤:去除该光阻层;进行一第二蚀刻制程以去除在该条状开口下方之该第二导电层及该第一导电层;以及形成一侧壁于该第一导电层、该第二导电层及该绝缘层之侧边,其中该凹处填满构成该侧壁之绝缘材料。18.根据请求项16之半导体闸极结构之制备方法,其中该第一蚀刻制程系一湿蚀刻制程,且使用之一蚀刻液包含氨水、过氧化氢及水。19.根据请求项18之半导体闸极结构之制备方法,其中该第一蚀刻制程之反应温度系界于60至70℃之间。20.根据请求项16之半导体闸极结构之制备方法,其中该第一蚀刻制程系一乾蚀刻制程,且使用之蚀刻气体为四氟化碳或六氟化硫。21.根据请求项16之半导体闸极结构之制备方法,其中该微影制程包含使用一位元线接触窗光罩。图式简单说明:图1(a)至图1(c)例示习知技艺之闸极导体的制备方法;图2(a)至图2(h)例示本发明一较佳实施例之半导体闸极结构的制备方法;图3系本发明之半导体闸极结构之立体示意图;以及图4(a)至图4(e)例示本发明另一较佳实施例之半导体闸极结构的制备方法。 |
