| 主权项 |
1.一种奈米元件,包含:一岩盐型结构(rock-salt structure)的氮化钛缓冲层,具有[111]优选方位;以及沿着该缓冲层的[111]方位生长的一维奈米结构。2.如申请专利范围第1项所述之奈米元件,其中该缓冲层更包含(111)磊晶之岩盐型结构的氮化钛。3.如申请专利范围第1项所述之奈米元件,其中该一维奈米结构为纤锌矿型结构(wurtzite structure)。4.如申请专利范围第1项所述之奈米元件,其中该一维奈米结构包含ZnO、GaN、AlN、或上述之组合。5.如申请专利范围第1项所述之奈米元件,其中该一维奈米结构包含ZnO。6.如申请专利范围第1项所述之奈米元件,其中该一维奈米结构包含奈米棒(nanorod)、奈米线(nanowire)、奈米管(nanotube)、奈米针尖(nanotip)、或上述之组合。7.一种电子装置,包含:一基底;一岩盐型结构(rock-salt structure)的氮化钛缓冲层于该基底上,具有[111]优选方位;以及沿着该缓冲层的[111]方位生长的一维奈米结构;以及一电极,于该缓冲层以外的该基底上。8.如申请专利范围第7项所述之电子装置,更包含一线路层于该基底与该缓冲层之间。9.如申请专利范围第8项所述之电子装置,其中该线路层包含导电材料。10.如申请专利范围第8项所述之电子装置,其中该线路层包含铝、铜、铝-铜合金、钨、掺杂复晶矽、氮化钛、或上述之组合。11.如申请专利范围第7项所述之电子装置,其中该缓冲层更包含(111)磊晶之岩盐型结构的氮化钛。12.如申请专利范围第7项所述之电子装置,其中该一维奈米结构包含ZnO、GaN、AlN、或上述之组合。13.如申请专利范围第7项所述之电子装置,其中该一维奈米结构包含ZnO。14.如申请专利范围第7项所述之电子装置,其中该一维奈米结构包含奈米棒(nanorod)、奈米线(nanowire)、奈米管(nanotube)、奈米针尖(nanotip)、或上述之组合。图式简单说明:第1图为一剖面图,系显示本发明第一实施例之奈米元件。第2图为一剖面图,系显示本发明第二实施例之使用本发明之奈米元件的电子装置。 |
