发明名称 高解析度镀膜遮罩及其制造方法
摘要 一种高解析度镀膜遮罩及其制造方法,系应用于真空镀膜,高解析度镀膜遮罩系由基材与光阻微结构所组成,基材包含复数个第一穿孔,光阻微结构形成于基材表面,光阻微结构系包含复数个第二穿孔,第二穿孔尺寸系小于第一穿孔尺寸,且第二穿孔位置系设于第一穿孔内,使第二穿孔连接于第一穿孔,其中,基材的第一穿孔与光阻微结构的第二穿孔系可利用光微影方法所形成。
申请公布号 TWI245327 申请公布日期 2005.12.11
申请号 TW093134805 申请日期 2004.11.12
申请人 财团法人工业技术研究院;世镭光电股份有限公司 发明人 李裕正;赵清烟;蔡轩名;林国栋
分类号 H01L21/027 主分类号 H01L21/027
代理机构 代理人 许世正 台北市信义区忠孝东路5段410号4楼
主权项 1.一种高解析度镀膜遮罩,其包含有:一基材,系包含复数个第一穿孔;以及一光阻微结构,系形成于该基材表面,该光阻微结构系包含复数个第二穿孔,该第二穿孔尺寸系小于该第一穿孔尺寸,且该第二穿孔系对应设置于该第一穿孔的位置,使该第二穿孔连接于该第一穿孔。2.如申请专利范围第1项所述之高解析度镀膜遮罩,其中该第一穿孔之单一位置系各自设置一个该第二穿孔。3.如申请专利范围第1项所述之高解析度镀膜遮罩,其中该第一穿孔之单一位置系设置多个该第二穿孔。4.如申请专利范围第1项所述之高解析度镀膜遮罩,其中该第二穿孔的尺寸范围系为1微米至100微米。5.如申请专利范围第1项所述之高解析度镀膜遮罩,其中该基材之厚度范围系0.03毫米至0.3毫米。6.如申请专利范围第1项所述之高解析度镀膜遮罩,其中该光阻微结构之材质系为负型光阻材料。7.如申请专利范围第1项所述之高解析度镀膜遮罩,其中该基材系为金属或合金。8.如申请专利范围第1项所述之高解析度镀膜遮罩,其中更包含一保护膜,系覆盖于该光阻微结构表面。9.如申请专利范围第8项所述之高解析度镀膜遮罩,其中该保护膜系为一无机镀膜。10.一种高解析度镀膜遮罩之制造方法,其步骤包含有:提供一基材,其具有一第一表面与一第二表面;于该基材形成复数个第一穿孔;及以光微影方法于该基材之该第一表面形成一光阻微结构,该光阻微结构包含复数个第二穿孔,该第二穿孔系对应设置于该第一穿孔的位置,使该第二穿孔连通于该第一穿孔,该第二穿孔尺寸系小于该第一穿孔尺寸。11.如申请专利范围第10项所述之高解析度镀膜遮罩之制造方法,其中于该基材形成复数个第一穿孔的步骤,其包含:于该基材之该第一表面涂布一第一光阻层,于该第二表面涂布一第二光阻层;以光微影方法曝光及显影该第一光阻层与该第二光阻层,以形成该第一光阻图案与该第二光阻图案;蚀刻该基材以形成该第一穿孔;及去除该第一光阻图案与该第二光阻图案。12.如申请专利范围第10项所述之高解析度镀膜遮罩之制造方法,其中该以光微影方法于该基材之该第一表面形成一光阻微结构的步骤,其包含:于该第一表面,涂布一结构光阻层;及曝光及显影该结构光阻层,以形成具有复数个第二穿孔之一光阻微结构。13.如申请专利范围第10项所述之高解析度镀膜遮罩之制造方法,其中该于该基材形成复数个第一穿孔的步骤,更包含于该结构光阻层形成该第二穿孔的步骤,其包含:于该基材之该第一表面涂布一第一光阻层,于该第二表面涂布一第二光阻层;以光微影方法曝光及显影该第一光阻层及该第二光阻层,以形成该第一光阻图案及第二光阻图案;蚀刻该基材以形成该复数个第一穿孔,同时于该第一光阻层形成具有复数个第二穿孔之一光阻微结构;及去除该第二光阻图案。14.如申请专利范围第10项所述之高解析度镀膜遮罩之制造方法,其中更包含一沉积一保护膜覆盖于该光阻微结构表面的步骤。15.如申请专利范围第14项所述之高解析度镀膜遮罩之制造方法,其中该保护膜之制程系选自溅镀制程或化学气相沉积制程。16.如申请专利范围第10项所述之高解析度镀膜遮罩之制造方法,其中该第一穿孔之单一位置系各自设置一个该第二穿孔。17.如申请专利范围第10项所述之高解析度镀膜遮罩之制造方法,其中该第一穿孔之单一位置系设置多个该第二穿孔。18.如申请专利范围第10项所述之高解析度镀膜遮罩之制造方法,其中该第二穿孔的尺寸范围系为1微米至100微米。19.如申请专利范围第10项所述之高解析度镀膜遮罩之制造方法,其中该基材之厚度范围系0.03毫米至0.3毫米。20.如申请专利范围第10项所述之高解析度镀膜遮罩之制造方法,其中该光阻微结构之材质系为负型光阻材料。21.如申请专利范围第10项所述之高解析度镀膜遮罩之制造方法,其中该基材系为金属或合金。图式简单说明:第1A图至第1F图为本发明第一实施例之制造流程示意图;第2图为本发明第二实施例之结构示意图;第3A图至第3D图为本发明第三实施例之制造流程示意图;及第4图为本发明第四实施例之结构示意图。
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