| 主权项 |
1.一种在蚀刻金属垫上氧化层之过程中测定蚀刻终点之方法,包含:提供一基板,该基板系具有至少一金属垫,该金属垫系可生成一氧化层;乾式蚀刻该基板,以移除该氧化层,在上述乾式蚀刻中所提供之气体系至少包含有钝态气体与氢气,该氢气系与该氧化层之氧化物粒子产生反应,而生成水气;及在乾式蚀刻之同时,进行一残余气体分析(residualgas analyzing, RGA),以分析该水气含量。2.如申请专利范围第1项所述之在蚀刻金属垫上氧化层之过程中测定蚀刻终点之方法,其中该氧化层系为氧化铝。3.如申请专利范围第1项所述之在蚀刻金属垫上氧化层之过程中测定蚀刻终点之方法,其中该氧化层系为氧化铜。4.如申请专利范围第1项所述之在蚀刻金属垫上氧化层之过程中测定蚀刻终点之方法,其中该基板系为一半导体基板。5.如申请专利范围第1项所述之在蚀刻金属垫上氧化层之过程中测定蚀刻终点之方法,其中该钝态气体系为氩气(Ar)。6.一种凸块前处理制程,包含:提供一晶圆,该晶圆系具有至少一金属垫,该金属垫系可生成一氧化层;乾式蚀刻该晶圆,以移除该氧化层,在上述乾式蚀到中所提供之气体系至少包含有钝态气体与氢气,该氢气系与该氧化层之氧化物粒子产生反应,而生成水气;及在乾式蚀刻之同时,进行一残余气体分析(residualgas analyzing, RGA),以分析该水气含量。7.如申请专利范围第6项所述之凸块前处理制程,其另包含有:在乾式蚀刻之后,形成一凸块下金属层(UBM layer)于该晶圆,该凸块下金属层系覆盖至该金属垫,以供接合凸块。8.一种凸块制程,包含:提供一半导体晶圆,该半导体晶圆系具有复数个金属垫,其中至少一之该些金属垫系可生成一氧化层;提供一含氢气体于该半导体晶圆上,作为移除该氧化层之作用介质,其中该含氢气体系与该氧化层之氧化物粒子产生反应,而生成水气;进行一残余气体分析(residual gas analyzing, RGA),以分析该水气含量;形成一凸块下金属层(UBM layer)于该半导体晶圆,该凸块下金属层系覆盖至该些金属垫;及形成复数个凸块在该些金属垫上之该凸块下金属层。9.如申请专利范围第8项所述之凸块制程,其中该含氢气体系另包含有钝态气体。10.如申请专利范围第9项所述之凸块制程,其中该钝态气体系为氩气(Ar)。图式简单说明:第1图:习知具有凸块结构之晶圆局部截面图;第2图:习知晶圆在凸块制程之前之局部截面图;第3图:依据本发明之在蚀刻金属垫上氧化层之过程中测定蚀刻终点之方法,所使用之乾式蚀刻设备与残余气体分析器之截面示意图;第4图:依据本发明之在蚀刻金属垫上氧化层之过程中测定蚀刻终点之方法,该晶圆在乾式蚀刻且残余气体分析(residual gas analyzing, RGA)时之局部截面图;第5图:依据本发明之在蚀刻金属垫上氧化层之过程中测定蚀刻终点之方法,一水气分析之残余气体分析图表;及第6图:依据本发明之在蚀刻金属垫上氧化层之过程中测定蚀刻终点之方法,该晶圆在乾式蚀刻之后可形成一凸块下金属层之局部截面图。 |
