| 主权项 |
1.一种斜面制造方法,应用于一半导体制程上,其制造方法包含下列步骤:提供一钻石晶体结构之半导体基板,该半导体基板具有一表面,一该表面为{100}等价晶格平面;于该半导体基板之表面上方形成一蚀刻罩幕,该蚀刻罩幕上具有一蚀刻窗口,该蚀刻窗口具有沿一第一方向延伸之一侧壁,而该第一方向与该半导体基板之<100>等价晶格方向间具有一偏移角度,该偏移角度之范围大于等于0度且小于45度或小于等于90度但大于45度;以及运用该蚀刻罩幕及该蚀刻窗口对该基板进行一选择性非均向蚀刻,进而沿该第一方向而于该基板表面上蚀刻出表面为{110}等价晶格平面之一斜面。2.如申请专利范围第1项所述之斜面制造方法,其中该钻石晶体结构之半导体基板可为一矽基板。3.如申请专利范围第1项所述之斜面制造方法,其中该选择性非均向蚀刻系可为一湿蚀刻。4.如申请专利范围第1项所述之斜面制造方法,其中欲将该基板表面与该斜面之夹角控制在45度+/-1度时,该偏移角度之范围则需大于等于22度且小于45度或小于等于68度但大于45度。5.如申请专利范围第1项所述之斜面制造方法,其中该斜面系被运用为一光学反射面。6.如申请专利范围第1项所述之斜面制造方法,其中该非均向蚀刻所使用之一蚀刻液可按氢氧化钾:水:异丙醇依所需之蚀刻速率比例混和而成。7.如申请专利范围第1项所述之斜面制造方法,其中该非均向蚀刻所使用之一蚀刻液之温度可加热到摄氏60度至95度之范围内。8.如申请专利范围第7项所述之斜面制造方法,其中该非均向蚀刻进行时需以一搅拌装置将所使用之该非均向蚀刻液不断扰动,用以避免加热过程中所产生之气泡附着于该斜面上而影响该斜面之平坦度。9.一种斜面制造方法,应用于一半导体制程上,其制造方法包含下列步骤:提供一钻石晶体结构之半导体基板,该半导体基板具有一表面,该表面为{110}等价晶格平面;于该半导体基板之表面上方形成一蚀刻罩幕,该蚀刻罩幕上具有一蚀刻窗口,该蚀刻窗口具有沿一第一方向延伸之一侧壁,而该第一方向与该半导体基板之<110>等价晶格方向间具有一偏移角度,该偏移角度之范围大于等于0度且小于45度或小于等于90度但大于45度;以及运用该蚀刻罩幕及该蚀刻窗口对该基板进行一选择性非均向蚀刻,进而沿该第一方向而于该基板表面上蚀刻出表面为{100}等价晶格平面之一斜面。10.如申请专利范围第9项所述之斜面制造方法,其中该钻石晶体结构之半导体基板可为一矽基板。11.如申请专利范围第9项所述之斜面制造方法,其中该选择性非均向蚀刻系可为一湿蚀刻。12.如申请专利范围第9项所述之斜面制造方法,其中欲将该基板表面与该斜面之夹角控制在45度+/-1度时,该偏移角度之范围则需大于等于22度且小于45度或小于等于68度但大于45度。13.如申请专利范围第9项所述之斜面制造方法,其中该斜面系被运用为一光学反射面。14.如申请专利范围第9项所述之斜面制造方法,其中该非均向蚀刻所使用之一蚀刻液可按氢氧化钾:水:异丙醇依所需之蚀刻速率比例混和而成。15.如申请专利范围第9项所述之斜面制造方法,其中该非均向蚀刻所使用之一蚀刻液之温度可加热到摄氏60度至95度之范围内。16.如申请专利范围第15项所述之斜面制造方法,其中该非均向蚀刻进行时需以一搅拌装置将所使用之该非均向蚀刻液不断扰动,用以避免加热过程中所产生之气泡附着于该斜面上而影响该斜面之平坦度。图式简单说明:第一图(a)(b)所示是习知技艺中传统光学读写头中利用反射面之单一雷射光源封装结构示意图。第二图(a)(b)(c)(d)系显示习知技艺中形成一45度斜面及54.74度斜面之过程示意图。第三图(a)(b)(c)系显示另一习知技艺中形成一45度斜面之过程示意图。第四图(a)(b)(c),其系本案为改善上述习用手段所发展出来可应用于半导体制程的斜面制造方法过程示意图。第五图(a)(b)(c),其系本案为改善上述习用手段所发展出来可应用于半导体制程的另一斜面制造方法过程示意图。第六图(a)(b),其系本案为改善上述习用手段所发展出来可应用于半导体制程的双斜面制造方法过程示意图。 |
