发明名称 用于极远紫外线之光阻组合物及用彼形成光阻图案之方法
摘要 本发明有关用于形成光阻图案之极远紫外线方法之光阻组合物。详言之,小于50奈米而不塌陷之精细光阻图案系以EUV(极远紫外线)作为曝光光源而使用包含三聚氰胺衍生物及聚乙烯基苯酚的负型光阻组合物来形成。
申请公布号 TWI245326 申请公布日期 2005.12.11
申请号 TW093119310 申请日期 2004.06.30
申请人 海力士半导体股份有限公司 发明人 郑载昌
分类号 H01L21/027 主分类号 H01L21/027
代理机构 代理人 陈长文 台北市松山区敦化北路201号7楼
主权项 1.一种光阻组合物,其包含三聚氰胺衍生物、聚乙烯基苯酚型聚合物、感光性酸生成剂及一有机溶剂。2.如申请专利范围第1项之光阻组合物,其中该三聚氰胺衍生物系为式1所示之化合物:其中R1及R2个别系为C1-C20烷基或C1-C10醚基。3.如申请专利范围第2项之光阻组合物,其中该三聚氰胺衍生物系为式1a所示之化合物:4.如申请专利范围第1项之光阻组合物,其中该三聚氰胺衍生物系存在以该光阻组合物总重计为0.1重量%至20重量%范围之量。5.如申请专利范围第1项之光阻组合物,其中该聚乙烯基苯酚聚合物系具有5000至9000范围之分子量。6.如申请专利范围第1项之光阻组合物,其中该聚乙烯基苯酚聚合物系包含聚(N,N-二甲基丙烯醯胺/3,3-二甲氧基丙烯/丙烯醛)与聚乙烯基苯酚之掺合聚合物。7.如申请专利范围第1项之光阻组合物,其中该聚乙烯基苯酚聚合物系存在以该光阻组合物总重计为2.5重量至15重量%范围之量。8.如申请专利范围第1项之光阻组合物,其中该感光性酸生成剂系选自由苯二醯亚胺三氟甲磺酸酯、二硝基基甲苯磺酸酯、正癸基二及醯亚胺三氟甲磺酸酯所组成之群。9.如申请专利范围第1项之光阻组合物,其中该感光性酸生成剂包含i)第一感光性酸生成剂,其系选自由苯二醯亚胺三氟甲磺酸酯、二硝基芳基甲苯磺酸酯、正癸基二及醯亚胺三氟甲磺酸酯所组成之群;及ii)第二感光性酸生成剂,其系选自由六氟磷酸二苯碘、六氟砷酸二苯碘、六氟锑酸二苯碘、三甲甲磺酸二苯基对-甲氧苯基、三氟甲磺酸二苯基对-甲苯基、三氟甲磺酸二苯基对-异丁基苯基、六氟砷酸三苯基、六氟锑酸三苯基、三氟甲磺酸三苯基硫及三氟甲磺酸二丁基基所组成之群。10.如申请专利范围第1项之光阻组合物,其中该感光性酸生成剂系存在以该光阻聚合物为100重量份计为0.05至10重量份范围之量。11.如申请专利范围第1项之光阻组合物,其中该有机溶剂系选自二(乙二醇)二乙醚、3-甲氧基丙酸甲酯、3-乙氧基丙酸乙酯、丙二醇甲基醚乙酸酯、环己酮及其混合物。12.如申请专利范围第1项之光阻组合物,其中该有机溶剂系存在以该光阻聚合物为100重量份计为500至2000重量份范围之量。13.一种用以形成光阻图案之方法,其包含以下步骤:(a)将申请专利范围第1项之光阻组合物涂覆于待蚀刻之底层的顶部,以形成光阻薄膜;(b)使该光阻薄膜曝光;(c)烘烤该经曝光之光阻薄膜;及(d)使形成之结构显影,以得到光阻图案。14.如申请专利范围第13项之方法,其中该曝光步骤(b)系使用选自由下列各物组成之群的光源进行:EUV、KrF、ArF、VUV(真空紫外线)、电子束、X-射线或离子束。15.一种如申请专利范围第13项用以形成光阻图案之方法用于制造半导体制置之用途。图式简单说明:图1系为说明实施例3制得之光阻图案的相片。图2系为说明实施例4制得之光阻图案的相片。
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