充电帮浦电路

摘要

一种充电帮浦电路，包括一帮浦阶段(first pump stage)，其包含耦合至预充电MOSFET电晶体(pre-charge MOSFET)的次帮浦电路(sub-pump)，其系用以泵降(pump down)上述预充电MOSFET电晶体的闸极，以增加预充电MOSFET电晶体之预充电效率。而预充电MOSFET电晶体之预充电效率越高，则通道电晶体之闸极电压越低。所以，充电分配效率(charge sharing efficiency)越好，体效应(body effect)所造成的影响便可以消除。后续之帮浦阶段亦与上述帮浦阶段相同。此外，本发明实施例仅实施于P型MOSFET上，因此，只需单一井以及小布局即可。如此便可获得本发明之高效率负帮浦电路。

主权项

1.一种充电帮浦电路,包括:一第一帮浦阶段,包含一第一次帮浦电路(sub-pump),耦合至一第一预充电MOSFET电晶体,其中该第一次帮浦电路系用以泵降该第一预充电MOSFET电晶体之一闸极,藉以增加该第一预充电MOSFET电晶体之预充电效率;以及一第二帮浦阶段,耦合至该第一帮浦阶段,该第二帮浦阶段包含一第二次帮浦电路,耦合至一第二预充电MOSFET电晶体,其中该第二次帮浦电路系用以泵降该第二预充电MOSFET电晶体之一闸极,藉以增加该第二预充电MOSFET电晶体之预充电效率。2.如专利申请范围第1项所述之充电帮浦电路,更包括:一第一放电电晶体,耦合至该第一预充电MOSFET电晶体之该闸极;以及一第二放电电晶体,耦合至该第二预充电MOSFET电晶体之该闸极。3.如专利申请范围第1项所述之充电帮浦电路,更包括一放电电晶体,具有一源极、一汲极与一闸极电容,其中该源极耦合至接地、该汲极耦合至该第一预充电MOSFET电晶体之该闸极、以及该闸极电容耦合至一控制讯号,且该控制讯号的致能(activation)系导致该放电电晶体对该第一预充电电晶体放电。4.如专利申请范围第1项所述之充电帮浦电路,更包括:一第一通道电晶体;一第一初始化电晶体,耦合至该第一通道电晶体,其中该第一初始化电晶体对该第一通道电晶体之汲极作初始化;一第二通道电晶体;以及一第二初始化电晶体,耦合至该第二通道电晶体,其中该第二初始化电晶体对该第二通道电晶体之汲极作初始化。5.如专利申请范围第1项所述之充电帮浦电路,更包括:一第一时序讯号;一第一电容,耦合在该第一时序讯号与该第一预充电电晶体的闸极之间;一第二时序讯号;以及一第二电容,耦合在该第二时序讯号与该第二预充电电晶体的闸极之间。6.如专利申请范围第l项所述之充电帮浦电路,更包括一初始阶段,包含一通道电晶体,该通道电晶体具有一源极、一汲极与一闸极电容,其中该源极耦合至接地、该汲极耦合至该第一预充电MOSFET电晶体之源极、以及该闸极电容耦合至一第三时序讯号。7.如专利申请范围第1项所述之充电帮浦电路,更包括一负充电帮浦输出讯号。8.一种充电帮浦电路,包括:一预充电电晶体,具有一源极、一闸极与一汲极;一放电电晶体,耦合至该预充电电晶体之该闸极,其中,该放电电晶体选择性地将该预充电电晶体放电;一通道电晶体,耦合至该预充电电晶体之该源极;以及一初始化电晶体,耦合至该通道电晶体,其中,该初始化电晶体对该通道电晶体之汲极作初始化。9.如专利申请范围第8项所述之充电帮浦电路,其中该预充电电晶体之该闸极电压被泵降,藉以增加该预充电电晶体之预充电效率。10.如专利申请范围第8项所述之充电帮浦电路,更包括:一时序讯号,耦合至该预充电电晶体之该闸极;一电晶体设置为一二极体,具有一启始电压,耦合在该预充电电晶体之该闸极与该源极之间,其中该预充电电晶体之该闸极放电至一电压程度,该电压程度约等于该预充电电晶体之该源极加上该启始电压的电压値大小,至少部分对应于该时序讯号之一第一转换。11.如专利申请范围第8项所述之充电帮浦电路,更包括:一第二通道电晶体,具有一源极,耦合至该第一通道电晶体之汲极;一充电帮浦阶段,耦合至该第二通道电晶体,该充电帮浦阶段包括:一第二预充电电晶体,具有一源极、一闸极与一汲极;一第二放电电晶体,耦合至该第二预充电电晶体之该闸极,其中,该第二放电电晶体选择性地将该第二预充电电晶体放电;一第三通道电晶体,耦合至该第二通道电晶体之源极;以及一第二初始化电晶体,耦合至该第,二通道电晶体,其中,该初始化电晶体对该第二通道电晶体之汲极作初始化。12.一种记忆体元件,包括:复数个非挥发性记忆体单元(non-volatile memory cells);以及一充电帮浦电路,耦合至该些非挥发性记忆体单元,该充电帮浦电路包括:一预充电电晶体,其具有一源极、一闸极与一汲极;一放电电晶体,耦合至该预充电电晶体的该闸极,其中该放电电晶体选择性地对该预充电电晶体放电;一通道电晶体,耦合至该预充电电晶体的该源极;以及一初始化电晶体,耦合至该通道电晶体,其中该初始化电晶体对该通道电晶体之汲极作初始化。13.如专利申请范围第12项所述之记忆体元件,更包括一第一井,其中该充电帮浦电路设置于该第一井中。14.如专利申请范围第12项所述之记忆体元件,其中该预充电电晶体的该闸极电压被泵降,藉以增加该预充电电晶体之预充电效率。15.如专利申请范围第12项所述之记忆体元件,更包括:一时序讯号,耦合至该预充电电晶体之该闸极;一电晶体设置为一二极体,具有一启始电压,耦合在该预充电电晶体之该闸极与该源极之间,其中该预充电电晶体之该闸极放电至一电压程度,该电压程度约等于该预充电电晶体之该源极加上该启始电压的电压値大小,至少部分对应于该时序讯号之一第一转换。16.如专利申请范围第12项所述之记忆体元件,更包括:一第二通道电晶体,具有一源极,耦合至该第一通道电晶体之汲极;一充电帮浦阶段,耦合至该第二通道电晶体,该充电帮浦阶段包括:一第二预充电电晶体,具有一源极、一闸极与一汲极;一第二放电电晶体,耦合至该第二预充电电晶体之该闸极,其中,该第二放电电晶体选择性地将该第二预充电电晶体放电;一第三通道电晶体,耦合至该第二通道电晶体之源极;以及一第二初始化电晶体,耦合至该第二通道电晶体,其中,该初始化电晶体对该第二通道电晶体之汲极作初始化。图式简单说明:第1A至1B图绘示本发明实施例之帮浦电路和计时器计时之示意图。第2至3图绘示本发明实施例之充电帮浦计时器和结点电压(node voltage)对时间之函数示意图。