| 主权项 |
1.一种用于一电路晶片(10)之一终端(14)至一外部参考电位(26)之一电性导电连接之装置,其特征在于该装置具有一进接线与一掺杂之半导体材料(22)之平行连接。2.如申请专利范围第1项之装置,其中该掺杂之半导体材料系矽。3.如申请专利范围第1项之装置,其中该掺杂之半导体材料(22)具有一掺杂型态之掺杂区域位于该电路晶片(14)之终端与该参考电位(26)之间,其延伸穿过该电路晶片(10)。4.如申请专利范围第1项之装置,其中该电路晶片系一放大器级。5.如申请专利范围第4项之装置,其中该终端(14)系该放大器级之一射极终端。6.如申请专利范围第1项之装置,其中该参考电位(26)系由一基板(22)上之一导电区域所形成。7.如申请专利范围第1项之装置,其中该掺杂之半导体材料(22)具有一沉井(sinker)。8.如申请专利范围第1项之装置,其中该参考电位(26)系一接地电位。9.如申请专利范围第1项之装置,其中该掺杂之半导体材料(22)系一电路晶片(10)之一基板中之一区域(22),其被掺杂之程度大于该电路晶片(10)之该基板之其它部份。图式简单说明:第1图:系本发明装置之一实施例之图式。第2A图:系显示将IC晶片接地点连接至基板上的导电区域的习知技术。第2B图:系显示一种依据习知技艺所使用之连接晶片10之接点14与一基板接地区域之技术。第2C图:系显示将IC晶片的接地终端连接至基板接地区域的习知技术。 |
