| 主权项 |
1.一种标准元件单元反偏压架构,包括:一互补式金氧半元件单元,该互补式金氧半元件单元包括至少第一与第二互补式金氧半电晶体,分别于第一与第二掺杂井区中有第一与第二互补式金氧半电晶体掺杂区,其中,每一该电晶体掺杂区各以一对应的电源供应电位或接地电位施以偏压;以及一分接单元,该分接单元分别有位于该第一与第二井区中的第一与第二分接单元掺杂区,其中,每一该分接单元掺杂区各以一异于电源供应与接地电位的电位施以偏压。2.如申请专利范围第1项所述之标准元件单元反偏压架构,其中,该第一与第二分接单元掺杂区分别各以相异的第一与第二电位施以偏压,且该第一与第二电位异于电源供应与接地电位。3.如申请专利范围第1项所述之标准元件单元反偏压架构,其中,该互补式金氧半元件单元为一标准元件库之单元。4.如申请专利范围第3项所述之标准元件单元反偏压架构,其中,该分接单元与该互补式金氧半元件单元有大致相似的外形与尺寸。5.如申请专利范围第1项所述之标准元件单元反偏压架构,其中,至少该等电位的大小与振幅之一异于电源供应与接地电位。6.如申请专利范围第1项所述之标准元件单元反偏压架构,其中,至少该等电位的相位与极性之一异于电源供应与接地电位。7.如申请专利范围第1项所述之标准元件单元反偏压架构,其中,该第一与第二分接单元掺杂区除了该电源供应电位对该第一与第二互补式金氧半电晶体掺杂区之一施以偏压的时候之外,其他时刻亦有偏压存在。8.如申请专利范围第1项所述之标准元件单元反偏压架构,其中:该第一与第二掺杂井区有相反的掺杂型;该第一分接单元掺杂区有与该第一掺杂井区相同的掺杂型,但其掺杂浓度较该第一掺杂井区为高;以及该第二分接单元掺杂区有与该第二掺杂井区相同的掺杂型,但其掺杂浓度较该第二掺杂井区为高。9.一种标准元件单元反偏压架构,包括:复数个分接单元,每一该分接单元各自对应数个相关的互补式金氧半电晶体元件,其中,数个相关的互补式金氧半电晶体元件至少以电源供应电位与接地电位之一施以偏压,且每一分接单元各自以第一或第二电位对其对应的数个相关互补式金氧半电晶体元件施以反偏压,该第一与第二电位各异于电源供应电位与接地电位。10.如申请专利范围第9项所述之标准元件单元反偏压架构,其中,数个互补式金氧半电晶体元件共同组成多个互补式金氧半元件单元,且多个互补式金氧半元件单元又组成多个互补式金氧半元件单元区块,每一互补式金氧半元件单元区块各自包括多个互补式金氧半元件单元,该等互补式金氧半元件单元各自对应一分接单元。11.如申请专利范围第9项所述之标准元件单元反偏压架构,其中,每一该分接单元系以对应的该第一与第二电位之一,对于对应之互补式金氧半元件单元区块的对应之互补式金氧半元件单元之每一互补式金氧半电晶体元件施以偏压。12.如申请专利范围第9项所述之标准元件单元反偏压架构,其中,至少每一该第一与第二电位的大小与振幅之一异于电源供应与接地电位。13.如申请专利范围第9项所述之标准元件单元反偏压架构,其中,至少每一该第一与第二电位的相位与极性之一异于电源供应与接地电位。14.如申请专利范围第9项所述之标准元件单元反偏压架构,其中,该等分接单元除了该电源电压电位对该等对应之互补式金氧半元件单元施以偏压的时候之外,其他时刻亦有该第一与第二电位之一的反偏压存在。15.如申请专利范围第9项所述之标准元件单元反偏压架构,更包括:一电源互连,至少间接地将数个互补式金氧半元件连接至一电源供应源;以及一接地互连,至少间接地将数个互补式金氧半元件连接至一接地电位源。16.如申请专利范围第15项所述之标准元件单元反偏压架构,更包括:一第一反偏压互连,至少间接地分别将数个互补式金氧半电晶体元件连接至第一反偏压源;以及一第二反偏压互连,至少间接地分别将数个互补式金氧半电晶体元件连接至第二反偏压源。17.如申请专利范围第16项所述之标准元件单元反偏压架构,其中,该电源与接地互连各自大致与相对一底承基板之第一横向方向平行,且该第一与第二反偏压互连各自与相对该底承基板之第二横向方向平行,其中,该第一与第二横向方向彼此大致垂直。18.如申请专利范围第17项所述之标准元件单元反偏压架构,更包括一互连结构包含第一与第二金属层,各有导电性材质将数个互补式金氧半电晶体元件连接以形成数个互补式金氧半元件单元,其中,该电源与接地互连位于该互连结构的该第一金属层,且该第一与第二反偏压互连位于该互连结构的该第二金属层。19.如申请专利范围第9项所述之标准元件单元反偏压架构,其中,每一分接单元与每一互补式金氧半元件单元有大致相似的外形与方向。20.一种标准元件单元反偏压架构,包括:一位于一基板上的N型井区;一位于该基板上的该N型井区附近的P型井区;一分接单元,该分接单元包括该N型井区中的N型掺杂区与该P型井区的P型掺杂区;复数个互补式金氧半元件单元,包括复数个互补式金氧半电晶体元件,各自包括位于对应N型井区与P型井区中的源/汲极区;电源供应与接地互连,至少间接地将数个互补式金氧半元件的源/汲极区连接至对应的电源供应与接地电位;以及一第一与第二反偏压互连,至少间接地分别将该N型井区与该P型井区连接至该第一与第二反偏压源,使得该N型井区与该P型井区可分别处于第一与第二反偏压电位,且该第一与第二反偏压电位异于电源供应与接地电位。21.如申请专利范围第20项所述之标准元件单元反偏压架构,更包括一互连结构,该互连结构包含第一与第二金属层,各有导电性连线将数个互补式金氧半电晶体元件连接以形成数个互补式金氧半元件单元,其中,该电源与接地互连各包括位于该第一金属层的导电性连线之一,且该第一与第二反偏压互连各包括位于该该第二金属层的导电性连线之一。22.如申请专利范围第20项所述之标准元件单元反偏压架构,其中,该电源与接地互连大致平行,且该第一与第二反偏压互连大致平行,且各自大致垂直于该电源与接地互连。23.如申请专利范围第20项所述之标准元件单元反偏压架构,其中:该N型井区为位于该基板之复数个N型井区之一;该P型井区为位于该基板之复数个P型井区之一;该分接单元为位于基板之复数个分接单元之一,每一分接单元各自包括对应复数N型井区之一的N型掺杂区与对应复数P型井区之一的P型掺杂区;以及复数个互补式金氧半元件单元组成复数个单元区块,每一单元区块至少与一分接单元相关。24.如申请专利范围第23项所述之标准元件单元反偏压架构,其中,每一分接单元位于对应的单元区块之周围附近。25.如申请专利范围第23项所述之标准元件单元反偏压架构,其中,每一分接单元位于对应的单元区块之中央部份。26.如申请专利范围第20项所述之标准元件单元反偏压架构,其中,该N型井区与P型井区系与该基板绝缘。27.如申请专利范围第26项所述之标准元件单元反偏压架构,其中,一深的掺杂井区将该N型井区及P型井区与该基板绝缘。28.如申请专利范围第20项所述之标准元件单元反偏压架构,更包括一绝缘结构夹于该基板内的N型井区与P型井区之间。29.一种形成标准元件单元反偏压架构的方法,包括:于一基板中形成一N型井区;于该基板的该N型井区附近形成一P型井区;形成一分接单元,该分接单元包括N型井区中的N型掺杂区与P型井区的P型掺杂区;形成复数个互补式金氧半元件,该等互补式金氧半元件各自包括位于对应N型井区与P型井区中的源/汲极区;形成电源供应与接地互连,该电源供应与接地互连至少间接地将数个该互补式金氧半电晶体元件连接至对应的电源供应与接地电位;以及形成一第一与第二反偏压互连,至少间接地分别将该N型井区与P型井区连接至该第一与第二反偏压源,使得该N型井区与P型井区可分别处于第一与第二反偏压电位,且第一与第二反偏压电位异于电源供应与接地电位。30.如申请专利范围第29项所述之形成标准元件单元反偏压架构的方法,更包括形成一互连结构,该互连结构包含第一与第二金属层,各有导电性连线将数个互补式金氧半电晶体元件连接以形成数个互补式金氧半元件单元,其中,该电源与接地互连各包括位于该第一金属层的导电性连线之一,且该第一与第二反偏压互连各包括位于该该第二金属层的导电性连线之一。31.如申请专利范围第29项所述之形成标准元件单元反偏压架构的方法,其中,该电源与接地互连大致平行,且该第一与第二反偏压互连大致平行,且各自大致垂直于该电源与接地互连。32.如申请专利范围第29项所述之形成标准元件单元反偏压架构的方法,其中:形成该N型井区包括形成位于该基板之复数个N型井区;形成该P型井区包括形成位于该基板之复数个P型井区;形成该分接单元包括形成位于基板之复数个分接单元,每一分接单元各自包括对应复数N型井区之一的N型掺杂区与对应复数P型井区之一的P型掺杂区;以及形成复数个互补式金氧半元件单元包括形成复数个单元区块,每一单元区块至少与一分接单元相关。图式简单说明:第1图所示至少为依据本发明的系统之一部份的区块示意图。第2图所示至少为依据本发明之方法实施例之一部份的流程图。第3a图所示至少为依据本发明实施例而建立之修正标准分接单元(modified standard tap cell)之一部份的布局图。第3b图所示至少为依据本发明实施例而建立之修正标准分接单元之一部份的布局图。第3c图所示至少为依据本发明实施例而建立之修正标准分接单元之一部份的透视图。第4a图所示至少为依据本发明实施例具有反相器与分接单元之积体电路设计的部份布局图。第4b图所示至少为依据本发明实施例具有反相器、分接单元与偏压互连之积体电路设计的部份布局图。第4c图所示至少为依据本发明实施例具有反相器、分接单元与偏压互连之积体电路设计的部份透视图。第5图所示至少为依据本发明实施例具多分接单元与井区反偏压之积体电路的部份布局图。第6图所示至少为依据本发明实施例用以提供VBB与VPP电压给分接单元之驱动电路的部份电路图。第7图所示至少为依据本发明实施例之装置于一制程中段的部份透视图。第8图所示为依据本发明之实施例的第7图所示之装置于下一制程阶段的透视图。第9图所示为依据本发明之实施例的第8图所示之装置于下一制程阶段的透视图。第10图所示为依据本发明之实施例的第9图所示之装置于下一制程阶段的透视图。第11图所示至少为依据本发明之实施例的第10图所示装置的部份透视图。 |
