发明名称 光阻剂图案之制造方法
摘要 本发明之主要目的在于,提供一在使用化学放大型光阻剂及导电性膜时的高精细的光阻剂图案的制造方法。本发明之解决手段,系藉由提供一种光阻剂图案之制造方法来达成上述目的者,该方法之特征为包括如下步骤:于基材的一表面具有化学放大型光阻剂层、及形成于上述化学放大型光阻剂层上之可藉由加热放出酸的导电性膜的基板上,从上述导电性膜侧以图案状照射电子线的照射步骤;从照射有电子线的基板,除去上述导电性膜的导电性膜除去步骤;对于已除去导电性膜的基板,施以曝光后烘乾的曝光后烘乾步骤;及对于已施以曝光后烘乾的基板进行显像,形成由化学放大型光阻剂组成的图案的显像步骤。
申请公布号 TWI245168 申请公布日期 2005.12.11
申请号 TW092108211 申请日期 2003.04.10
申请人 大印刷股份有限公司 发明人 佐佐木志保;栗原正彰;藤井明子
分类号 G03F7/16 主分类号 G03F7/16
代理机构 代理人 赖经臣 台北市松山区南京东路3段346号1112室;宿希成 台北市松山区南京东路3段346号1112室
主权项 1.一种光阻剂图案之制造方法,其特征为包括如下步骤:于基材的一表面具有化学放大型光阻剂层、及形成于上述化学放大型光阻剂层上之可藉由加热放出酸的导电性膜的基板上,从上述导电性膜侧以图案状照射电子线的照射步骤;从照射过电子线的基板,除去上述导电性膜的导电性膜除去步骤;对于已除去导电性膜的基板,施以曝光后烘乾的曝光后烘乾步骤;及对于已施以曝光后烘乾的基板进行显像,形成由化学放大型光阻剂组成的图案的显像步骤。2.如申请专利范围第1项之光阻剂图案之制造方法,其中,上述导电性膜为水溶性。图式简单说明:图1(a)~(d)为显示本发明光阻剂图案之制造方法之一例的步骤图。图2为显示本发明光阻剂图案之一例的概略剖面图。
地址 日本