发明名称 低旁瓣双频暨宽频平面型端射天线
摘要 一种低旁瓣双频暨宽频平面型端射天线,包含一基板、一第一辐射体、一第二辐射体、二折射部及一导电元件。基板具有一侧面、一第一表面及一第二表面。第一辐射体系设置于基板之第一表面,第一辐射体具有一第一斜部、一第一凹部及一第一电性连接部,而第一斜部与第一凹部系相对而设。第二辐射体系设置于基板之第二表面,第二辐射体具有一第二斜部、一第二凹部及一第二电性连接部,而第二斜部与第二凹部系相对而设,第二斜部与第一斜部系相对而设以形成一夹角。二折射部系设置于基板之两侧侧面。导电元件系具有一导电体及一接地导体,分别与第一电性连接部及第二电性连接部电连接。
申请公布号 TWI245454 申请公布日期 2005.12.11
申请号 TW094103280 申请日期 2005.02.02
申请人 智易科技股份有限公司 发明人 郑世杰
分类号 H01Q1/38;H01Q5/00 主分类号 H01Q1/38
代理机构 代理人 刘正格 台北市大同区重庆北路3段88号3楼之1
主权项 1.一种低旁瓣双频暨宽频平面型端射天线,包含: 一基板,具有一侧面、一第一表面及与该第一表面 相对之一第二表面; 一第一辐射体,系设置于该基板之该第一表面,该 第一辐射体具有一第一斜部、一第一凹部及一第 一电性连接部,其中该第一斜部与该第一凹部系相 对而设; 一第二辐射体,系设置于该基板之该第二表面,该 第二辐射体具有一第二斜部、一第二凹部及一第 二电性连接部,其中该第二斜部与该第二凹部系相 对而设,该第二斜部与该第一斜部系相对而设以形 成一夹角; 一折射部,其系设置于该基板之该侧面;以及 一导电元件,其系具有一导电体及一接地导体,该 导电体及该接地导体系分别与该第一电性连接部 及该第二电性连接部电连接。 2.如申请专利范围第1项所述之低旁瓣双频暨宽频 平面型端射天线,其中该折射部系设置于相对于该 第一凹部之该基板的该侧面。 3.如申请专利范围第2项所述之低旁瓣双频暨宽频 平面型端射天线,更包含: 另一折射部,其系设置于相对于该第二凹部之该基 板的另一侧面。 4.如申请专利范围第1项所述之低旁瓣双频暨宽频 平面型端射天线,其中该第一斜部与该第二斜部所 形成之夹角系介于20度至30度之间。 5.如申请专利范围第1项所述之低旁瓣双频暨宽频 平面型端射天线,其中该第一凹部之半径约等于该 第二凹部之半径。 6.如申请专利范围第5项所述之低旁瓣双频暨宽频 平面型端射天线,其中该第一凹部之半径约为5毫 米至8毫米之间。 7.如申请专利范围第1项所述之低旁瓣双频暨宽频 平面型端射天线,其系可操作于约2.4GHz频段与约5 GHz频段。 8.如申请专利范围第1项所述之低旁瓣双频暨宽频 平面型端射天线,其中该第一辐射体与该第二辐射 体之材质系为金属。 9.如申请专利范围第8项所述之低旁瓣双频暨宽频 平面型端射天线,其中该第一辐射体与该第二辐射 体之材质系为铜。 10.如申请专利范围第1项所述之低旁瓣双频暨宽频 平面型端射天线,其中该折射部之材质系为金属。 11.如申请专利范围第10项所述之低旁瓣双频暨宽 频平面型端射天线,其中该折射部之材质系为铜。 12.如申请专利范围第1项所述之低旁瓣双频暨宽频 平面型端射天线,其中该导电元件系为一同轴传输 线。 13.如申请专利范围第1项所述之低旁瓣双频暨宽频 平面型端射天线,其中该基板之材质系为玻璃纤维 强化环氧树脂。 14.如申请专利范围第1项所述之低旁瓣双频暨宽频 平面型端射天线,更包含: 一第一馈入点,系设置于该第一电性连接部上,该 第一馈入点系与该导电元件之该导电体或该接地 导体电连接;以及 一第二馈入点,系设置于该第二电性连接部上,该 第二馈入点系与该导电元件之该导电体或该接地 导体电连接。 图式简单说明: 图1为显示习知贴片天线之一示意图; 图2A及图2B为显示依本发明较佳实施例之低旁瓣双 频暨宽频平面型端射天线之示意图; 图3为显示依本发明较佳实施例之低旁办双频暨宽 频平面型端射天线之一场型辐射量测图; 图4为显示依本发明较佳实施例之低旁瓣双频暨宽 频平面型端射天线之使用范围之一部分示意图;以 及 图5为显示依本发明较佳实施例之低旁瓣双频暨宽 频平面型端射天线之使用范围之一量测图。
地址 新竹市科学园区园区二路9号4楼