发明名称 轴向高能电浆奈米原料生产系统及其制程
摘要 一种轴向高能电浆奈米原料生产系统及其制程,至少包括:一电浆反应器、一第一反应炉、一冷却反应器、一循环暂存器,前述第一反应炉系具有一进料口,可用来注入一原材料;该电浆反应器嵌接第一反应炉,使上述原材料受热而气化;所述冷却反应器系接合该第一反应炉,以汇集前述原材料经气化后之物质,令该物质快速冷却凝结,所述冷却反应器并设至少一馈入口,以输入一冷却物,来与前述物质进行热交换作用,完成物质之奈米微粒;所述循环暂存器系接合所述冷却反应器,以收集经化学反应凝结的奈米微粒。
申请公布号 TWI245320 申请公布日期 2005.12.11
申请号 TW093130012 申请日期 2004.10.04
申请人 江宏;张雪屏 台北市文山区木栅路4段9巷2号19楼;量能奈米整合科技股份有限公司 台北市内湖区港墘路200号8楼 发明人 江宏;杨志强;辜祖庆
分类号 H01L21/00;H05H1/00 主分类号 H01L21/00
代理机构 代理人 陈棋铭 台北市大安区复兴南路2段283号7楼
主权项 1.一种轴向高能电浆奈米原料生产系统,至少包括: 至少一电浆反应器、一第一反应炉、一第二反应 炉、一冷却反应器、一循环暂存器,前述第一反应 炉系具有一进料口及一进入口,且该电浆反应器嵌 接第一反应炉;上述第二反应炉,系接合第一反应 炉;所述冷却反应器系接合上述第二反应炉;所述 循环暂存器系接合所述冷却反应器。 2.依申请专利范围第1项之轴向高能电浆奈米原料 生产系统,其中电浆反应器以相对于前述进料口15 度至45度的角度布置者。 3.依申请专利范围第1项之轴向高能电浆奈米原料 生产系统,其中电浆反应器系为单一个。 4.依申请专利范围第1项之轴向高能电浆奈米原料 生产系统,其中电浆反应器系有两个且以轴向对称 排列者。 5.依申请专利范围第1项之轴向高能电浆奈米原料 生产系统,其中电浆反应器系有三个且以轴向对称 排列者。 6.依申请专利范围第1项之轴向高能电浆奈米原料 生产系统,其中第一反应炉之电浆反应器与第二反 应炉所嵌接的至少一电浆反应器之相对角度为90 度者。 7.依申请专利范围第1项之轴向高能电浆奈米原料 生产系统,其中第一反应炉与第二反应炉系一体成 形者。 8.依申请专利范围第1项之轴向高能电浆奈米原料 生产系统,其中第一反应炉之壳壁设有一第一隔热 层者。 9.依申请专利范围第1项之轴向高能电浆奈米原料 生产系统,其中第二反应炉之壳壁设有一第二隔热 层者。 10.依申请专利范围第1项之轴向高能电浆奈米原料 生产系统,其中第一反应炉之壳壁设有一第一冷却 槽者。 11.依申请专利范围第1项之轴向高能电浆奈米原料 生产系统,其中第二反应炉之壳壁设有一第二冷却 槽者。 12.依申请专利范围第11项之轴向高能电浆奈米原 料生产系统,其中第二冷却槽设有一入口者。 13.依申请专利范围第10项之轴向高能电浆奈米原 料生产系统,其中第一冷却槽设有一出口者。 14.依申请专利范围第1项之轴向高能电浆奈米原料 生产系统,其中冷却反应器设有至少一馈入口者。 15.依申请专利范围第1项之轴向高能电浆奈米原料 生产系统,其中循环暂存器接合有一稀释装置者。 16.依申请专利范围第15项之轴向高能电浆奈米原 料生产系统,其中稀释装置设有一输入口者。 17.依申请专利范围第15项之轴向高能电浆奈米原 料生产系统,其中稀释装置设有一输出口者。 18.依申请专利范围第15项之轴向高能电浆奈米原 料生产系统,其中稀释装置器接合有一收集装置者 。 19.依申请专利范围第18项之轴向高能电浆奈米原 料生产系统,其中收集装置设有一过滤单元者。 20.依申请专利范围第1项之轴向高能电浆奈米原料 生产系统,其中进料口系设于该第一反应炉之轴心 位置者。 21.一种轴向高能电浆奈米原料生产制程,至少包括 以下步骤: (a)将一原材料注入一第一反应炉之一进料口; (b)经由该第一反应炉之一进入口注入另一材料; (c)藉由作动嵌接该第一反应炉之至少一电浆反应 器来令所述原材料获得热量而气化; (d)藉由一冷却反应器来滙集前述原材料经气化后 之物质与所述冷却反应器之至少一馈入口所输入 的冷却物进行热交换作用,完成物质之奈米微粒; (e)藉由一循环暂存器收集所述奈米微粒,并与通过 前述循环暂存器所设之一输入口的一稀释物进行 稀释所述奈米微粒。 22.依申请专利范围第21项所述之轴向高能电浆奈 米原料生产制程,在该步骤(c)之后,更有一步骤(c-1) 藉由作动接合该第一反应炉并供所述电浆反应器 嵌接之一第二反应炉来使该原材料再次加热至气 化。 23.依申请专利范围第22项所述之轴向高能电浆奈 米原料生产制程,在该步骤(c-1)之后,更有一步骤(c- 2)从第二反应炉之壳壁所设的一第二冷却槽之一 入口注入一冷却剂,而朝第一反应炉所设之一第一 冷却槽的一出口导出,以使所述第一反应炉与第二 反应炉之温度维持在预定之范围内。 24.依申请专利范围第21项所述之轴向高能电浆奈 米原料生产制程,在该步骤(e)之后,更有一步骤(a-1) 利用接合所述循环暂存器之一收集装置,以撷取前 述循环暂存器所排出之具有奈米尺度的物质者。 25.依申请专利范围第21项之轴向高能电浆奈米原 料生产制程,其中另一材料为氧者。 26.依申请专利范围第21项之轴向高能电浆奈米原 料生产制程,其中另一材料为空气者。 27.依申请专利范围第21项之轴向高能电浆奈米原 料生产制程,其中另一材料为水者。 28.依申请专利范围第21项之轴向高能电浆奈米原 料生产制程,其中另一材料为氮者。 29.依申请专利范围第21项之轴向高能电浆奈米原 料生产制程,其中另一材料为碳氢化合物者。 30.依申请专利范围第21项之轴向高能电浆奈米原 料生产制程,其中奈米微粒为氧化物者。 31.依申请专利范围第21项之轴向高能电浆奈米原 料生产制程,其中奈米微粒为碳化物者。 32.依申请专利范围第21项之轴向高能电浆奈米原 料生产制程,其中奈米微粒为氮化物者。 33.依申请专利范围第21项之轴向高能电浆奈米原 料生产制程,其中奈米微拉为原材料者。 图式简单说明: 第一图系为本发明之外观组合示意图。 第二图系为第一图之分解示意图。 第三图系为第一图之剖面暨原材料行进路径示意 图。 第四图系为第一图之冷却剂行进路径示意图。 第五图系为第一图之冷却物行进路径示意图。
地址 台北县新店市达观路38号7楼