| 主权项 |
1.一种电激发光显示器之画素单元,包括: 一基板; 一第一中间结构,设置于该基板上; 至少一第一彩色电激发光装置,设置于该第一中间 结构上; 一第二中间结构,设置于该基板上;以及 至少一第二彩色电激发光装置,设置于该第二中间 结构上,其中该第二中间结构异于该第一中间结构 。 2.如申请专利范围第1项所述之电激发光显示器之 画素单元,其中该第一中间结构包括: 一第一缓冲层,设置于该基板上; 一第二缓冲层,设置于该第一缓冲层上; 一闸氧化层,设置于该第二缓冲层上; 一介电层,设置于该闸氧化层上;以及 一保护层,设置于该介电层上。 3.如申请专利范围第2项所述之电激发光显示器之 画素单元,其中该第二中间结构包括: 一第一缓冲层,设置于该基板上;以及 一第二缓冲层,设置于该第一缓冲层上。 4.如申请专利范围第2项所述之电激发光显示器之 画素单元,其中该第二中间结构包括: 一第一缓冲层,直接地设置于该基板上;以及 一第二缓冲层,直接地设置于该第一缓冲层上,其 中该第二彩色电激发光装置系直接设置于该第二 缓冲层上。 5.如申请专利范围第4项所述之电激发光显示器之 画素单元,其中该第一缓冲层之材质为氮化矽(SiNx) 而该第二缓冲层之材质为氧化矽(SiOx)。 6.如申请专利范围第2项所述之电激发光显示器之 画素单元,其中该第一彩色电激发光装置系为一蓝 光有机发光二极体。 7.如申请专利范围第1项所述之电激发光显示器之 画素单元,其中该第一、及第二彩色电激发光装置 分别包括: 一阳极,设置于该保护层上; 至少一有机发光层,设置于该阳极上;以及 一阴极,设置于该有机发光层上。 8.如申请专利范围第7项所述之电激发光显示器之 画素单元,其中该阳极之材质为铟锡氧化物(ITO)。 9.如申请专利范围第1项所述之电激发光显示器之 画素单元,其中该第二中间结构包括: 一第一缓冲层,设置于该基板上;以及 一第二缓冲层,设置于该第一缓冲层上。 10.如申请专利范围第9项所述之电激发光显示器之 画素单元,其中该第二彩色电激发光装置系为一绿 光有机发光二极体或一红光之有机发光二极体。 11.如申请专利范围第10项所述之电激发光显示器 之画素单元,其中该绿光有机发光二极体或红光有 机发光二极体包括: 一阳极,设置于该第二缓冲层上; 至少一有机发光层,设置于该阳极上;以及 一阴极,设置于该有机发光层上。 12.如申请专利范围第11项所述之电激发光显示器 之画素单元,其中该阳极之材质为铟锡氧化物(ITO) 。 13.如申请专利范围第1项所述之电激发光显示器之 画素单元,其中该基板为一透明基板,而该电激发 光显示器为一底部发光显示器。 14.如申请专利范围第1项所述之电激发光显示器之 画素单元,其中该第一中间结构包括: 一闸氧化层,设置于该基板上; 一介电层,设置于该闸氧化层上;以及 一保护层,设置于该介电层上,其中该第二中间结 构并不具有该闸氧化层、该介电层与该保护层。 15.一种电激发光显示器之画素单元的制作方法,包 括: 形成一第一缓冲层于一基板上之一第一区与一第 二区内,其中该第一区异于该第二区; 形成一第二缓冲层于该第一区与该第二区内之第 一缓冲层上; 形成一闸氧化层于该第一区与该第二区内之第二 缓冲层上; 形成一介电层于该第一区与该第二区内之闸氧化 层上; 形成一保护层于该第一区与该第二区内之介电层 上; 蚀刻该第二区内之保护层; 蚀刻该第二区内之介电层; 蚀刻该第二区内之闸氧化层; 形成至少一具有第一色彩之电激发光装置于该第 一区内之保护层上;以及 形成至少一具有第二色彩之电激发光装置于该第 二区之缓冲层上。 16.一种电激发光显示器之画素单元的制作方法,包 括: 形成一第一缓冲层于一基板上之一第一区与一第 二区内,其中该第一区异于该第二区; 形成一第二缓冲层于该第一区与该第二区内之第 一缓冲层上; 形成一闸氧化层于该第一区内之第二缓冲层上; 形成一介电层于该第一区内之闸氧化层上; 形成一保护层于该第一区内之介电层上; 形成至少一第一色彩之电激发光装置于该第一区 内之保护层上;以及 形成至少一第二色彩之电激发光装置于该第二区 之缓冲层上。 图式简单说明: 第1图系显示采用有机发光二极体之习知电激发光 显示器面板之一示意图; 第2图系显示习知有机发光二极体区之剖面结构; 第3图系显示依据本发明一实施例之电激发光显示 器之画素单元; 第4图系显示沿第3图内线段4-4之剖面情形; 第5A图系显示第一中间结构之剖面情形; 第5B图系显示第二中间结构之剖面情形; 第6图系显示单独采用第一中间结构或第二中间结 构之一有机发光二极体显示器中红光、绿光与蓝 光之发光效率与光色値(CIE)之测试数据表;以及 第7图系显示结合采用第一中间结构或第二中间结 构之一有机发光二极体显示器中红光、绿光与蓝 光之发光效率与光色値(CIE)之测试数据表。 |
