| 主权项 |
1.一种记忆元件,其特征在于: 在第1电极及第2电极之间夹着非晶质薄膜所构成: 前述第1电极及前述第2电极中至少一方电极系包 含Ag或Cu; 前述非晶质薄膜系由Ge与选自S、Se、Te、Sb之一种 以上元素所构成者。 2.如请求项1之记忆元件,其中含Ag或Cu之电极系连 接于包含离子化时之价数大于前述电极所含之Ag 或Cu之元素之电极层者。 3.如请求项1之记忆元件,其中前述第1电极或前述 第2电极系连接于包含TiW、Ti、W中之任一种之电极 层者。 4.如请求项1之记忆元件,其中前述非晶质薄膜系包 含Ge与选自S、Se、Te、Sb之一种以上元素、及Si者 。 5.一种记忆装置,其特征在于包含: 记忆元件,其系在第1电极及第2电极之间夹着非晶 质薄膜所构成,前述第1电极及前述第2电极中至少 一方电极系包含Ag或Cu,前述非晶质薄膜系包含Ge与 选自S、Se、Te、Sb之一种以上元素者; 配线,其系连接于前述第1电极侧者;及 配线,其系连接于前述第2电极侧者;且 配置多数前述记忆元件而构成者。 6.一种记忆元件,其特征在于 在第1电极及第2电极之间夹着非晶质薄膜所构成; 前述第1电极及前述第2电极中至少一方或其双方 包含Ag或Cu; 前述非晶质薄膜系由氧化物形成者。 7.如请求项6之记忆元件,其中前述氧化物系包含过 渡金属氧化物、锗氧化物、矽氧化物中之一种者 。 8.一种记忆装置,其特征在于包含: 记忆元件,其系在第1电极及第2电极之间夹着非晶 质薄膜所构成,前述第1电极及前述第2电极中至少 一方电极包含Ag或Cu,前述非晶质薄膜由氧化物形 成者; 配线,其系连接于前述第1电极侧者;及 配线,其系连接于前述第2电极侧者;且 配置多数前述记忆元件而构成者。 9.如请求项8之记忆装置,其中前述氧化物系包含过 渡金属氧化物、锗氧化物、矽氧化物中之任一种 者。 图式简单说明: 图1系本发明之记忆元件之一实施形态之概略构成 图(剖面图),图2A系表示图1记忆元件之试样之I-V特 性之测定结果之图,图2B系表示非晶质薄膜中添加 Ag之试样之I-V特性之测定结果之图,图3A及图3B系表 示非晶质薄膜中添加Ag之试样之I-V特性之测定结 果之图,图4A及图4B系表示改变非晶质薄膜中之Ge含 量之试样之I-V特性之测定结果之图,图5A及图5B系 表示改变非晶质薄膜中之Ge含量之试样之I-V特性 之测定结果之图,图6系表示在下部电极及电极层 使用W之试样之I-V特性之测定结果之图,图7系表示 非晶质薄膜使用Ag膜之试样之I-V特性之测定结果 之图,图8A及图8B系表示非晶质薄膜中添加Gd之试样 之I-V特性之测定结果之图,图9A~图9C系表示非晶质 薄膜中添加Si之试样之I-V特性之测定结果之图,图 10A及图10B系表示改变非晶质薄膜之GeSbTe膜之膜厚 之试样之I-V特性之测定结果之图,图11A及图11B系表 示改变非晶质薄膜之GeSbTe膜之膜厚之试样之I-V特 性之测定结果之图,图12系表示图1之记忆元件之试 样之I-V特性之测定结果之图,图13A~图13C系表示非 晶质薄膜使用锗氧化物之试样之I-V特性之测定结 果之图,图14A及图14B系表示非晶质薄膜使用矽氧化 物之试样之I-V 特性之测定结果之图。 |
