| 主权项 |
1.一种选择性减少半导体氧化物之组成物之污染 粒子浓度之方法,其中半导体氧化物之组成物系以 利用提供半导体元素之反应物和提供氧之反应物 之化学气相沉积方法(CVD)所形成,其中该半导体氧 化物之组成物之污染粒子系为除了该半导体元素 以及氧以外之材料,该方法包含下列步骤: 产生能量传递基; 使该能量传递基流入以化学气相沉积制程所形成 之半导体氧化物之组成物内,以使流入之能量传递 基得以传递分解能量至该半导体氧化物之组成物 之上至少部分污染粒子,若有的话,且得以造成该 至少部分污染粒子之分解;以及 将至少部分之分解之污染粒子由高温氧化膜流出 。 2.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该半导体 氧化物之组成物系包括二氧化矽,且该污染粒子系 包括氯粒子。 3.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该提供半 导体元素之反应物系包含二氯矽烷(Dichlorosilane)。 4.如申请专利范围第3项所述之方法,其中: (a.1)该产生能量传递基系包含产生氧原子。 5.如申请专利范围第3项所述之方法,其中: (a.1)该产生能量传递基系包含供给能量予一流动 之载体气体,该载体气体系具有分子,而该分子包 含至少一元素,该元素系可转换为相对应的能量传 递基之其中之一。 6.如申请专利范围第5项所述之方法,其中该载体气 体包含氧化亚氮。 7.如申请专利范围第5项所述之方法,其中供给能量 予该流动载体气体系包含加热该载体气体至实质 上为摄氏825度到950度的范围,以触发载体气体之成 分产生放热性的分解作用。 8.如申请专利范围第5项所述之方法,其中供给能量 予该流动载体气体系包含加热该载体气体至实质 上为摄氏875度到925度的范围。 9.如申请专利范围第1项所述之方法,其中步骤(a)产 生传递能量基以及步骤(b)使该能量传递基流入等 等前系预先进行步骤: (d)以实质上介于每分钟一公升至每分钟十公升之 流动速率提供一载体气体至一气体加能器(energizer ),其中该载体气体包含至少一元素,该元素系可转 换为相对应的能量传递基之其中之一,且该气体加 能器系增加能量于载体气体至足够地以分解至少 一元素。 10.一种对半导体氧化物之组成物进行回火之方法, 其中半导体氧化物之组成物系以利用提供半导体 元素之反应物以及提供氧之反应物之化学气相沉 积方法(CVD)所形成,其中该半导体氧化物之组成物 系包含氧空隙位置及一个或多个卤素污染物之其 中之一或二者,该回火方法包含下列步骤: (a)提供载体气体之流动蒸气,其中该载体气体系包 含氧; (b)加热该载体气体之流动蒸气至实质上摄氏825度 到950度的范围; (c)导引该加热之载体气体至一个或一个以上之工 作组件(workpiece),其中该工作组件具有包含该化学 气相沉积方法(CVD)所形成之半导体氧化物之组成 物之暴露表面;以及 (d)持续进行步骤(a)、(b)以及(c)至少实质上五分钟 。 11.如申请专利范围第10项所述之方法,其中更包含 步骤: (e)于该一个或一个以上之工作组件处于加热之载 体气体持续实质上不超过30分钟的一段时间后,停 止至少该步骤(b)以及该步骤(c)之其中之一。 12.如申请专利范围第10项所述之方法,其中 (a.1)该载体气体包含至少氧化亚氮(N2O)、氧化氮(NO )、氧气(O2)、氢气(H2)或氨气(NH3)等之其中之一;以 及 (c.1)该化学气相沉积方法(CVD)所形成之半导体氧化 物之组成物系以包含二氯矽烷(DCS)之提供半导体 元素之反应物所形成。 13.如申请专利范围第10项所述之方法,其中载体气 体之流动蒸气系以实质上介于每分钟一公升至每 分钟十公升之流动速率流动。 14.一种改良之高温氧化沉积膜,其以二氯矽烷形成 且以于整个膜上之小于4000*1010 atoms/cm2之含氯浓度 之为特性。 15.如申请专利范围第14项所述之高温氧化沉积膜, 其进一步以于整个膜上之小于400*1010 atoms/cm2之含 氯浓度为特性。 16.如申请专利范围第15项所述之高温氧化沉积膜, 其进一步以于整个膜上之小于165*1010 atoms/cm2之含 氯浓度为特性。 17.如申请专利范围第15项所述之高温氧化沉积膜, 其进一步以于整个膜上之小于240*1010 atoms/cm2之含 硫(sulfur)浓度为特性。 18.如申请专利范围第15项所述之高温氧化沉积膜, 其进一步以于整个膜上之小于0.4*1010 atoms/cm2含铁( Fe)浓度为特性。 19.如申请专利范围第15项所述之高温氧化沉积膜, 其进一步以于整个膜上之小于1.3*1010 atoms/cm2含碘( Iodine)浓度为特性。 20.一种积体电路,其至少包含: 一第一多晶半导体电极;以及 一第一回火式二氯矽烷高温氧化沉积膜(DCS-HTO film ),其系位于该第一多晶半导体电极之表面上,其中 该第一回火式二氯矽烷高温氧化沉积膜以于整个 该第一回火式二氯矽烷高温氧化沉积膜上之小于 400*1010 atoms/cm2之含氯(chlorine)浓度为特性。 21.如申请专利范围第20项所述之积体电路,其更包 含: (c)一氮化物膜,其系位于该第一回火式二氯矽烷高 温氧化沉积膜之表面上;以及 (d)一第二回火式二氯矽烷高温氧化沉积膜,其系位 于该氮化物膜之表面上,其中该第二回火式二氯矽 烷高温氧化沉积膜以于整个该第二回火式二氯矽 烷高温氧化沉积膜上之小于400*1010 atoms/cm2之含氯( chlorine)浓度为特性。 22.如申请专利范围第21项所述之积体电路,其进一 步更包含: (e)一第二多晶半导体电极,其系位于至少第一回火 式二氯矽烷高温氧化沉积膜及该第二回火式二氯 矽烷高温氧化沉积膜之其中之一之表面。 23.如申请专利范围第22项所述之积体电路,其进一 步更包含: (f)一热成长氧化层,其系由该第二多晶半导体电极 延伸出来。 24.如申请专利范围第20项所述之积体电路,其进一 步更包含: (c)一单晶基材,以接触于该第一回火式二氯矽烷高 温氧化沉积膜之至少一部份。 图式简单说明: 第一图:其系概要地解说以热成长二氧化矽之传统 制程。 第二图:其系为概要地解说以DCS-HTO法之传统制程 。 第三图:其系概要地解说根据本案所揭露之回火式 DCS-HTO法之制程。 第四图:其系概要地解说根据本案所揭露之回火式 DCS-HTO法之一种可能之反应机制。 第五图:其系概要地解说根据本案所揭露之回火式 装置,该装置可由含氧化物之组成中选择性移除卤 素并可执行回火式DCS-HTO法。 第六图:其系一半导体元件之剖面示意图,该元件 系使用一次或多次之根据本案所述之回火式DCS-HTO 法所形成的。 |
